3FT1N2 반도체 회로 부품 판매점
TRIACS
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 JILIN SINO |
双向晶闸管
R TRIACS
3FT1N2
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IT(RMS)
VDRM
IGT
用途
1.0A
800V
10mA
APPLICATIONS
序号
Pin
1
2
3
引线名称
Description
主电极 1 MT1
门极
G
主电极 2 MT2
z 交流开关
z 相位控制
产品特性
z AC switching
z Phase control
FEATURES
SOT-223
z 玻璃钝化芯片，高
可靠性和一致性
z 低通态电流和高
浪涌电流能力
z 环保 RoHS 产品
z Glass-passivated mesa
chip for high reliability and
uniform
z Low on-state voltage and
High ITSM
z RoHS products
订货信息 ORDER MESSAGES
订货型号
印记
Order code
Marking
3FT1N2-O-N-B-A
3FT1N2
封装
Package
SOT-223
包装
Packaging
编带 Tape
版本：201503B
1/7
R 3FT1N2
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (TC=25℃)
项目
Parameter
重复峰值断态电压
Repetitive peak off-state voltage
符号
Symbol
VDRM
试验条件
Condition
数 值 单位
Value Unit
±800 V
通态方均根电流 On-state RMS current
非 重 复 浪 涌 峰 值 通 态 电 流 Non-
repetitive surge peak on-state current
IT(RMS)
ITSM
I2t
full sine wave
full sine wave ,t=20ms
full sine wave ,t=16.7ms
t=10ms
1.0 A
10 A
11 A
0.5 A2s
通态电流临界上升率 Repetitive rate of
rise of on-state current after triggering
峰值门极电流 Peak gate current
平均门极功率 Average gate power
存储温度
Storage temperature
操作结温 Operation junction temperature
dI/dt
IGM
PG(AV)
Tstg
TVJ
MT1(-),MT2(+),G(+)；
MT1(-),MT2(+),G(-)；
MT1(+),MT2(-),G(-)
50 A/μs
2A
0.5 W
-40~150 ℃
125 ℃
版本：201503B
2/7
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제조업체: JILIN SINO
( jilin-sino )
3FT1N2 triac
데이터시트 다운로드 :
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전화번호 : 051-319-2877
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