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PDF BFP720 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BFP720 | |
| Descripción | Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor | |
| Fabricantes | Infineon | |
| Logotipo |  |
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BFP720
Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
Data Sheet
Revision 1.1, 2012-10-19
RF & Protection Devices
1 page  
BFP720
List of Figures
List of Figures
Figure 4-1
Figure 4-2
Figure 4-3
Figure 5-1
Total Power Dissipation Ptot = f (Ts) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Permissible Pulse Load Ptot_max / Ptot_DC = f (tp) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Permissible Pulse Load RthJS = f (tp). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
BFP720 Testing Circuit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Figure 5-2 Transition Frequency fT = f (IC, VCE), f = 1 GHz, VCE = Parameter in V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
Figure 5-3 Power Gain Gma, Gms, |S21|2 = f (f), VCE = 3 V, IC = 13 mA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
Figure 5-4 Input Matching S11 = f (f), VCE = 3 V, IC = 5 mA / 13 mA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
Figure 5-5 Output Matching S22 = f (f), VCE = 3 V, IC = 5 mA / 13 mA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
Figure 5-6 Source Impedance Zopt for NFmin = f (f), VCE = 3 V, IC = 5mA / 13 mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Figure 5-7 Noise Figure NFmin = f (IC), VCE = 3 V, ZS = Zopt. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Figure 5-8 Noise Figure NFmin = f (f), VCE = 3 V, ZS = Zopt. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
Figure 5-9 Power Gain Gma, GmS = f (IC), VCE = 3 V, f = Parameter in GHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
Figure 5-10 Power Gain Gma, Gms = f (VCE), IC = 13 mA, f = Parameter in GHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
Figure 7-1 Package Outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
Figure 7-2 Package Footprint. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
Figure 7-3 Marking Description (Marking BFP720: R9s) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
Figure 7-4 Tape Dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
Data Sheet
5 Revision 1.1, 2012-10-19
5 Page 
BFP720
Thermal Characteristics
10
D=0
D=0.5
1
tp [sec]
Figure 4-2 Permissible Pulse Load Ptot_max / Ptot_DC = f (tp)
1000
D= 0
D= .005
D= .01
D= .02
D= .05
D= .1
D= .2
D= .5
D=0.5
D=0
100
D= .5
D= .2
D= .1
D= .05
D= .02
D= .01
D= .005
D= 0
tp [sec]
Figure 4-3 Permissible Pulse Load RthJS = f (tp)
Data Sheet
11
Revision 1.1, 2012-10-19
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BFP720 | NPN Transistor |  ETC |
| BFP720 | Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor | Infineon |
| BFP720ESD | Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor | Infineon |
| BFP720F | Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor | Infineon |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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