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HEXIN SEMICONDUCTOR |
S8050D 331C ( TO-92)
硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
1 主要用途及主要特点
1.1 主要用途
成品管主要用于电视机,收音机和玩 电路中
1.2 主要特点
开关损耗 可靠性高
高温特性好
反向漏电小
2.1 极限值
除非另有规定,正amb= 25℃
参数名称
符 额定值
单
集电极-基 极电压 VCB0 40
V
集电极-发射极电压
VCE0
25
V
发射极-基 极电压
VEB0
5
V
集电极电流
IC 0.45 A
耗散功率(正amb=25℃)
Ptot
0.55
W
结温
正j 150 ℃
贮存温度
正stg -55~150 ℃
2.2 电参数
除非另有规定,正amb= 25℃
参数名称
符
集电极-基极截 电流
发射极-基极截 电流
共发射极 向电流传输比
的静态值
集电极-发射极饱和电压
特征频率
ICB0
IEB0
具FE
VCEsat
f正
测试条件
VCB=40V, IE=0
VEB=5V ,IC=0
VCE=1V, IC=50mA
IC=500mA, IB=50mA
VCE=6V,IC= 20mA
f=1MHZ
规范值
最小
型
最大
0.1
0.1
60 320
0.35
150
单
μA
μA
V
MHz
佛山市合芯半导体有限公
FO止HAN HEXIN 止EMICONDUC正OR CO., L正D
S8050D 331C ( TO-92)
3.1 产品图
硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
佛山市合芯半导体有限公
FO止HAN HEXIN 止EMICONDUC正OR CO., L正D
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