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S8050D 반도체 회로 부품 판매점

SILICON NPN TRANSISTOR



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HEXIN SEMICONDUCTOR
S8050D 데이터시트, 핀배열, 회로
S8050D 331C ( TO-92)
NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
1 主要用途及主要特点
1.1 主要用途
成品管主要用于电视机,收音机和玩 电路中
1.2 主要特点
开关损耗 可靠性高
高温特性好
反向漏电小
2.1 极限值
除非另有规定,正amb= 25℃
参数名称
符 额定值
集电极-基 极电压 VCB0 40
V
集电极-发射极电压
VCE0
25
V
发射极-基 极电压
VEB0
5
V
集电极电流
IC 0.45 A
耗散功率(正amb=25℃)
Ptot
0.55
W
结温
j 150 ℃
贮存温度
stg -55~150
2.2 电参数
除非另有规定,正amb= 25℃
参数名称
集电极-基极截 电流
发射极-基极截 电流
共发射极 向电流传输比
的静态值
集电极-发射极饱和电压
特征频率
ICB0
IEB0
FE
VCEsat
f
测试条件
VCB=40V, IE=0
VEB=5V ,IC=0
VCE=1V, IC=50mA
IC=500mA, IB=50mA
VCE=6V,IC= 20mA
f=1MHZ
规范值
最小
最大
0.1
0.1
60 320
0.35
150
μA
μA
V
MHz
佛山市合芯半导体有限公
FO止HAN HEXIN 止EMICONDUC正OR CO., L正D


S8050D 데이터시트, 핀배열, 회로
S8050D 331C ( TO-92)
3.1 产品图
NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
佛山市合芯半导体有限公
FO止HAN HEXIN 止EMICONDUC正OR CO., L正D




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