C6123 반도체 회로 부품 판매점
Silicon power transistor
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 Renesas |
2SC6123
2SC6123
FA DC/DC
hFE VCE(sat)
⎯ hFE2 ≥ 200 @VCE = 2.0 V, IC = 1.0 A
⎯ VCE(sat) ≤ 0.5 V @IC = 4.0 A, IB = 0.2 A
Z
VCE(sat)
hFE NPN
R07DS0329JJ0100
Rev.1.00
2011.04.15
OA
2SC6123(0)-Z-E1-AZ∗1
2SC6123(0)-Z-E2-AZ∗1
2SC6123(0)-Z-E1-AY∗1
2SC6123(0)-Z-E2-AY∗1
∗1. Pb
Sn-Bi
Sn-Bi
Sn 100%
Sn 100%
1000p/
1000p/
1000p/
1000p/
TA = 25
–
–
–
∗1
VCBO
VCEO
VEBO
IC(DC)
IC(pulse)
IB(DC)
1∗2 PT1
2 PT2
Tj
Tstg
∗1. PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50 %
∗2. 1 inch×1 inch×0.8 mmt Cu
PW ≤ 300 μs,
Duty Cycle ≤ 10 %
TA = 25°C
TC = 25°C
1 inch×1 inch×70 μm
TO-263 (MP-25Z)
TO-263 (MP-25Z)
TO-263 (MP-25Z)
TO-263 (MP-25Z)
100
60
7.0
5.0
10
2.5
1.5
35
150
55 150
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
R07DS0329JJ0100 Rev.1.00
2011.04.15
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2SC6123
TA = 25°C
–
–
∗1.
VCEO(SUS) IC = 3 A, IB = 0.3 A, L = 1 mH
VCEX(SUS) IC = 3 A, IB1 = −IB1 = 0.3 A,
VBE(OFF) = −1.5 V, L = 180 μA, Clamped
ICBO
VCB = 60 V, IE = 0
ICER VCE = 60 V, RBE = 50 Ω, TA = 125°C
ICEX1
VCE = 60 V, VBE(OFF) = −1.5 V
ICEX2
VCE = 60 V, VBE(OFF) = −1.5 V, TA = 125°C
IEBO VEB = 5.0 V, IC = 0
∗1
hFE1
VCE = 2.0 V, IC = 0.5 A
hFE2
VCE = 2.0 V, IC = 1.0 A
hFE3
VCE = 2.0 V, IC = 3.0 A
∗1
VCE(sat)1
IC = 3.0 A, IB = 0.15 A
VCE(sat)2
IC = 4.0 A, IB = 0.2 A
∗1
VBE(sat)1
IC = 3.0 A, IB = 0.15 A
VBE(sat)2
IC = 4.0 A, IB = 0.2 A
fT VCE = 10 V, IC = 0.5 A
Cob VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
ton IC = 3.0 A, RL = 17 Ω,
tstg IB1 = −IB2 = 0.15 A,
tf VCC = 50 V
PW ≤ 350 μs, Duty Cycle ≤ 2 %
hFE
hFE2
K
200 400
MIN.
60
60
TYP.
MAX.
V
V
10 μA
1.0 mA
10 μA
1.0 mA
10 μA
100 −
200 400 −
60 −
0.3 V
0.5 V
1.2 V
1.5 V
150 MHz
70 pF
0.3 μs
1.5 μs
0.3 μs
ton tstg tf
RL
VIN IC
IB1
T.U.T.
IB2
PW
PW 50 μs
Duty Cycle 2%
−VBB −5.0 V
VCC
90%
10%
IB1
IB2
IC
ton tstg tf
R07DS0329JJ0100 Rev.1.00
2011.04.15
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제조업체: Renesas
( renesas )
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