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PDF EB102DL Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | EB102DL | |
| Descripción | Transistor | |
| Fabricantes | SY Semiconductors | |
| Logotipo |  |
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SY semiconductors
● 特点
耐压高 开关速度快
安全工作区宽 符合 RoHS 规范
● 应用
节能灯、电子镇流器
电子变压器、开关电源
Shenzhen SY Semiconductors Co.，LTD.
EB102DL
FEATURES
▲HIGH VOLTAGE CAPABILTY ▲HIGH SPEED SWITCHING
▲WIDE SOA ▲RoHS COMPL
APPLICATION
▲FLUORESCENT LAMP ▲ELECTRONIC TRANSFORMER
▲ELECTONIC TRANSFORMER ▲SWICH MODE POWER SUPPLY
● 最大额定值 Absolute Maximum Ratings (Tc=25℃)
参数
PARAMETER
符号 额定值
SYMBO
L
VALUE
集电极-基极电压 Collector–Base Voltage
VCBO
400
集电极-发射极电压 Collector–Emitter Voltage
发射极-基极电压 Emitter-Base Voltage
V CEO
V EBO
200
9
集电极电流 Collector Current
IC 1.5
集电极耗散功率 Total Power Dissipation
@TC=25℃
P DTOT
11
最高工作温度 Junction Temperature
TJ 150
贮存温度 Storage Temperature
TSTG -65-150
单位
UNIT
V
V
A
W
℃
℃
● 电特性 Electronic Characteristics (Tc=25℃)
参数名称
符号
测试条件
CHARACTERISTICS
SYMBOL TEST CONDITION
集电极-基极截至电流
Collector–Base Cutoff Current
集电极-发射极截至电流
Collector-Emitter Cutoff Current
发射极-基极截至电流
Emitter- Base Cutoff Current
集电极-基极打压
Collector- Base Voltage
集电极-发射极电压
Collector–Emitter Voltage
发射极-基极电压
Emitter-Base Voltage.
ICBO
ICEO
I EBO
BVCBO
BVCEO
BV EBO
VCB=400V IE=0
VCE=200V IB=0
VEB=9V，IC=0
IC=1mA，IB=0
IC=10mA，IE=0
IC=1mA，IC=0
最小值 最大值 单位
MIN MAX U N I T
100 µA
100 uA
100 uA
400 V
200 V
9V
集电极-发射极饱和电压
Collector–Emitter Saturation Voltage
基极-发射极饱和电压
Base–Emitter Saturation Voltage
Vcesat
Vbesat
IC=1A Ib=0.5A
IC=0.5A Ib=0.1A
IC=1A Ib=0.5A
1.5 V
0.5 V
1.5 V
电流放大倍数 DC Current Gain
贮存时间 Storage Time
HFE
Ts
IC=0.1A VCE=5V
10
IC=1mA VCE=5V
IC=0.25A（UI9600）
7
1.5
40
3.5 us
SY semiconductors
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| EB102DL | Transistor | SY Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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