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BU3150F 반도체 회로 부품 판매점

NPN Transistor



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Jingdao
BU3150F 데이터시트, 핀배열, 회로
深圳市晶导电子有限公司
Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
BU3150F NPN 功率三极管
* 主要用途 :
各类功率开关电路。
* 主要特点:
硅三重扩散平面工艺
输出特性好、电流容量大。
TEL0755-29799516
FAX0755-29799515
Http://www.jdsemi.cn
B 基极 C 集电极 E 发射极
极限值:( Tc=25 )
参 数 名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
最大集电极直流电流
最大耗散功率
最高结温
贮存温度
电特性: ( Tc=25 )
参数名称 符号
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极-发射极反向漏电流
集电极-基极反向漏电流
发射极-基极反向漏电流
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICEO
ICBO
IEBO
共发射极直流电流增益
HFE
集电极-发射极饱和压降
下降时间
特征频率
VCE (sat)
tf
fT
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
Icm
Pcm
Tjm
Tstg
额定值
800
1100
9
1.5
35
150
55 150
单位
V
V
V
A
W
测试条件
IC=1mA
IB=0
IC=1mA
IE=0
IE=1mA
IC=0
VCE=750VIB=0
VCB=1050V IE=0
VEB=7V
IC=0
VCE=5V
IC=100mA
VCE=5V
IC=1mA
IC=0.5AIB=0.2A
IC=1AIB1=IB2=0.2AVCE=300V
VCE=10VIC=0.1Af =1MHz
规范值
最小值 最大值
800
1100
9
20
10
10
15 35
8
0.6
0.5
4
单位
V
V
V
uA
uA
uA
V
uS
MHz
Jingdao Electronic Corporation V01
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静态输出特性
2
100mA
1.6
80mA
1.2 60mA
0.8 40mA
20mA
0.4
Ib=0
0 2 4 6 8 10
VceV)集电极-发射极电压
Vcesat)集电极 - 发射极饱和压降- Ic 集电极电流
3
2
Ic=2Ib
1
0.1
0 0.1
1
IcA)集电极电流
SOADC)安全工作区
5
1
0.5
1.5
HFE 直流电流增益- Ic 集电极电流
50
40
30 Vce=5V
20
10
1
0.001
0.01 0.1
IcA)集电极电流
1 1.5
Pc 耗散功率- Tj 结温
40
30
20
10
0 40 80 120 160 200
Tj(℃)结温
0.05
0.01
1
10 100
VceV)集电极-发射极电压
1000
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Jingdao Electronic Corporation V01
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