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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
NPN D 系列晶体管/ D SERIES TRANSISTORS
BLD123D
●特点: 耐压高 开关速度快 安全工作区宽 符合 RoHS 规范
■ ■ ■●FEATURES: HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA
●应用: 电子镇流器 节能灯
■●APPLICATIONS: ELECTRONIC BALLAST
■FLUORESCENT LAMP
●最大额定值(Tc=25°C)
●Absolute Maximum Ratings(Tc=25°C) TO-92/TO-92S
参数
符号
额定值
单位
PARAMETER
SYMBOL VALUE
UNIT
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
VCBO
600
V
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
VCEO
400
V
发射极-基极电压
Emitter-Base Voltage
VEBO
9
V
集电极电流
Collector Current
IC 2.0 A
集电极耗散功率
Total Power Dissipation
Ptot 18
W
最高工作温度
Junction Temperature
Tj 150 °C
贮存时间
Storage Temperature
Tstg -65-150
°C
●电特性(Tc=25°C)
●Electrical Characteristics(Tc=25°C)
参数名称
符号
测试条件
最小值
CHARACTERISTIC
SYMBOL TEST CONDITION
MIN
集电极-基极截止电流
Collector-Base Cutoff Currentt
ICBO
VCB=600V
集电极-发射极截止电流
Collector-Emitter Cutoff Current
ICEO VCE=400V,IB=0
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
VCEO
IC=10mA,IB=0
400
发射极-基极电压
Emitter-Base Voltage
VEBO
IE=1mA,IC=0
9
■RoHS COMPLIANT
最大值
MAX
10
30
单位
UNIT
μA
μA
V
V
集电极-发射极饱和电压
Collector-Emitter Saturation Voltage
发射极-基极饱和电压
Base-Emitter Saturation Voltage
Vcesat
Vbesat
IC=200mA,IB=20mA
IC=0.5A,IB=0.1A
IC=1.5A,IB=0.5A
Ic=0.5A,Ib=0.1A
0.3
0.4 V
0.9
1.2 V
电流放大倍数
DC Current Gain
VCE=5V,IC=1mA
7
hFE VCE=5V,IC=0.2A 10
VCE=5V,IC=2.0A
5
40
贮存时间/Storage Time
下降时间 Falling Time
内置二极管正向压降/
Dioad Forward Voltage
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
tS
tf
VF
VCC=5V,IC=0.25A
(UI9600)
IF=1.0A
2.0
4.0 µs
0.8 µs
2.2 V
包装形式/PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料/ Nornal Package Material 无卤塑封料/Halogen Free
TO-92 普通袋装/NORMAL PACKING
BLD123D TO-92
BLD123D TO-92-HF
TO-92S 普通袋装/NORMAL PACKING
BLD123D TO-92S
BLD123D TO-92S-HF
TO-92 盒式编带/AMMOPACK
BLD123D TO-92-AP
BLD123D TO-92-AP-HF
Si semiconductors 2013.1
1