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PDF BLS3135-50 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BLS3135-50 | |
| Descripción | Microwave power transistor | |
| Fabricantes | NXP Semiconductors | |
| Logotipo |  |
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DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D259
BLS3135-50
Microwave power transistor
Product specification
Supersedes data of 1998 Apr 06
1999 Aug 16
1 page  
Philips Semiconductors
Microwave power transistor
handbook, full pagewidth
30
Product specification
BLS3135-50
30
40
input
C1
output
C2
MCD762
Dimensions in mm.
The components are situated on one side of the copper-clad printed-circuit board with Duroid dielectric (εr = 2.2), thickness 0.38 mm.
The other side is unetched and serves as a ground plane.
C1 = C2 = ATC 100A 5.1 pF
1999 Aug 16
Fig.6 Component layout for 3.1 to 3.5 GHz class-C test circuit.
5
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BLS3135-50 | Microwave power transistor | NXP Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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