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PDF BGB420 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BGB420 | |
| Descripción | Active Biased Transistor | |
| Fabricantes | Infineon Technologies AG | |
| Logotipo |  |
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BGB420, Aug. 2001
BGB420
Active Biased Transistor
MMIC
Wireless
Silicon Discretes
Never stop thinking.
1 page  
BGB420
Maximum Ratings
Parameter
Maximum collector-emitter voltage
Maximum collector current
Maximum bias current
Maximum emitter-base voltage
Maximum base current
Total power dissipation, TS < 107°C1)
Junction temperature
Operating temperature range
Storage temperature range
Thermal resistance: junction-soldering point
Symbol
VCE
IC
IBias
VEB
IB
Ptot
Tj
TOP
TSTG
Rth JS
Notes:
For detailed symbol description refer to figure 1.
1) TS is measured on the emitter lead at the soldering point to the PCB
Value
3.5
30
3
1.5
0.7
120
150
-40 ..+85
-65 ... +150
<270
Unit
V
mA
mA
V
mA
mW
°C
°C
°C
K/W
IBias
Bias,4
Bias
IC
C,3
VCE
B,1
IB VEB
E,2
Fig. 1: Symbol definition
Data sheet
5 2001-08-10
5 Page | ||
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| PDF Descargar | [ Datasheet BGB420.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BGB420 | Active Biased Transistor | Infineon Technologies AG |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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