PDF BF823 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza	BF823
Descripción	SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS
Fabricantes	CDIL
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No Preview Available ! Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package BF821 BF823 SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS P–N–P transistors Marking BF821 = 1W BF823 = 1Y PACKAGE OUTLINE DETAILS ALL DIMENSIONS IN mm Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector–base voltage (open emitter) Collector–emitter voltage (open base) Collector–emitter voltage (RBE = 2,7 kW ) Collector current (peak value) Total power dissipation up to Tamb = 25 °C Junction temperature D.C. current gain –IC = 25 mA; –VCE = 20 V Feedback capacitance at f = 1 MHz · IC = 0; –VCE = 30 V Transition frequency at f = 35 MHz –IC = 10 mA; –VCE = 10 V BF821 –VCB0 max. –VCE0 max. –VCER max. –ICM max. Ptot max. Tj max. 300 — 300 BF823 250 V 250 V –V 100 mA 250 mW 150 ° C hFE > 50 Cre < 1,6 pF fT > 60 MHz Continental Device India Limited Data Sheet Page 1 of 3 1 page

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Hoja de datos destacado

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
BF820	NPN high-voltage transistors	NXP Semiconductors
BF820	Small Signal Transistors (NPN)	General Semiconductor
BF820	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors	Diotec Semiconductor
BF820	Silicon NPN transistor	BLUE ROCKET ELECTRONICS

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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