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Silicon NPN transistor



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BLUE ROCKET ELECTRONICS
KTD2092 데이터시트, 핀배열, 회로
KTD2092
Rev.F Mar.-2016
DATA SHEET
描述 / Descriptions
TO-220F 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package.

特征 / Features
高放大,饱和压降低。
High hFE, low saturation voltage.

用途 / Applications
用于开关、界面电路和驱动电路。
Switching application, interface circuit and driver circuit application.
内部等效电路 / Equivalent Circuit
引脚排列 / Pinning
1 23
PIN1Base
PIN 2Collector
PIN 3Emitter
放大及印章代码 / hFE Classifications & Marking
见印章说明。See Marking Instructions.
http://www.fsbrec.com
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KTD2092 데이터시트, 핀배열, 회로
KTD2092
Rev.F Mar.-2016
极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25)
参数
Parameter
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current - Continuous
Collector Current - Continuous(Pulse)
Base Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
符号
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC(Tc=25)
Tj
Tstg
DATA SHEET
数值
Rating
100
80
7.0
3.0
5.0
1.0
2.0
150
-55150
单位
Unit
V
V
V
A
A
A
W
电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25)
参数
Parameter
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
符号
Symbol
测试条件
Test Conditions
VCEO IC=50mA IB=0
Collector Cut-Off Current
ICBO VCB=80V
IE=0
Emitter Cut-Off Current
IEBO VEB=7.0V IC=0
DC Current Gain
Collector to Emitter Saturation
Voltage
hFE(1)
hFE(2)
VCE=1.0V
VCE=1.0V
VCE(sat) IC=1.0A
IC=0.5A
IC=1.0A
IB=0.01A
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat) IC=1.0A
IB=0.01A
Collector to Emitter Forward Voltage VECF IE=3.0A
IB=0
Transition Frequency
Collector output capacitance
fT VCE=5.0V IC=1.0A
Cob
VCE=10V
f=1.0MHz
IE=0
Turn-On Time
ton
Storage Time
tstg IB1=-IB2=10mA
Fall Time
tf
最小值 典型值 最大值 单位
Min Typ Max Unit
80 V
10 μA
10 μA
500 1500
150
0.35 V
1.2 V
2.5 V
140 MHz
30 pF
0.5
5.0 μs
0.7
http://www.fsbrec.com
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