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PDF BLD133DL Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BLD133DL | |
| Descripción | TRANSISTORS | |
| Fabricantes | SI Semiconductors | |
| Logotipo |  |
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深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
NPN 低压系列晶体管/ L SERIES TRANSISTORS
BLD133DL
●特点: 耐压高 开关速度快 安全工作区宽 符合 RoHS 规范
■ ■ ■ ■●FEATURES： HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA RoHS COMPLIANT
●应用: 适用于 110V 电路 节能灯 电子镇流器
■ ■●APPLICATION: SUITABLE FOR 110V CIRCUIT MODE FLUORESCENT LAMP
ELECTRONIC BALLAST
●最大额定值（Tc=25°C）
●Absolute Maximum Ratings（Tc=25°C） TO-126/126S/220/220S
参数
符号
额定值
单位
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
发射极-基极电压
Emitter- Base Voltage
VCBO
VCEO
VEBO
400 V
200 V
9V
集电极电流
Collector Current
IC
5A
集电极耗散功率
Total Power Dissipation
最高工作温度
Junction Temperature
TO-126&126S:40
Ptot
W
TO-220&220S:50
Tj 150 °C
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-65-150
● 电特性（Tc=25°C）
●Electronic Characteristics（Tc=25°C）
参数名称
符号
CHARACTERISTICS
SYMBOL
集电极-基极截止电流
Collector-Base Cutoff Current
ICBO
集电极-发射极截止电流
Collector-Emitter Cutoff Current
ICEO
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
VCBO
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
VCEO
发射极-基电电压
Emitter -Base Voltage
VEBO
集电极-发射极饱和电压
Collector-Emitter Saturation Voltage
Vcesat
发射极-基极饱和电压
Base-Emitter Saturation Voltage
Vbesat
电流放大倍数
DC Current Gain
hFE
贮存时间 Storage Time
内置二极管正向压降
Diode Forward Voltage
tS
VF
°C
测试条件
TEST CONDITION
VCB=400V
VCE=200V,IB=0
IC=1mA,IE=0
IC=10mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
IC=2.0A,IB=0.4A
IC=4.0A,IB=1.0A
IC=2.0A,IB=0.4A
VCE=5V,IC=1mA
VCE=5V,IC=0.5A
VCE=5V,IC=5A
VCC=5V,IC=0.25A
(UI9600)
IF=2.5A
最小值
MIN
400
200
9
7
10
5
2.0
最大值
MAX
100
250
0.5
1.3
1.4
40
3.5
2.0
单位
UNIT
μA
μA
V
V
V
V
V
µs
V
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
包装形式/PACKING
TO-126 普通袋装/NORMAL PACKING
TO-126S 普通袋装/NORMAL PACKING
TO-220 普通袋装/NORMAL PACKING
TO-220S 普通袋装/NORMAL PACKING
TO-220 条管装/TUBE PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料/ Normal Package Material 无卤塑封料/Halogen Free
BLD133DL TO-126
BLD133DL TO-126-HF
BLD133DL TO-126S
BLD133DL TO-126S-HF
BLD133DL TO-220
BLD133DL TO-220-HF
BLD133DL TO-220S
BLD133DL TO-220S-HF
BLD133DL TO-220-TU
BLD133DL TO-220-TU-HF
1
Si semiconductors 2013.12
1 page  
深圳深爱半导体股份有限公司
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书
Product Specification
符号
SYMBOL
A
B
B1
b1
c
D
D1
最小值
min
4.00
1.20
1.00
0.65
0.35
15.00
5.90
TO-220 封装机械尺寸
TO-220 MECHANICAL DATA
典型值
nom
最大值
max
4.80
1.50
1.40
1.00
0.75
16.50
6.90
符号
SYMBOL
E
e
F
L
L1
Q
Q1
φP
最小值
min
9.90
1.10
12.50
3.00
2.50
2.00
3.60
单位：毫米/UNIT：mm
典型值
最大值
nom
max
10.70
2.54
1.45
14.50
3.50 4.00
3.00
3.00
3.90
Si semiconductors 2013.12
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BLD133DL | TRANSISTORS | SI Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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