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Huajing Microelectronics |
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD127 D5
○R
产品概述
3DD127 D5 是硅 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺,分压环终端
结构和少子寿命控制技术,
集成了有源抗饱和网络,提
高了产品的击穿电压、开关
速度和可靠性。
产品特点
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
应用
● 紧凑型电子节能灯
● 电子镇流器
● 一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
Ptot(TC=25℃)
400
2.5
40
V
A
W
封装 TO-126A
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40℃
1 年 265℃
相对湿度 <85%
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25℃
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp<5ms)
基极直流电流
基极脉冲电流(tp<5ms)
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
E
Ta=25℃
Tc=25℃
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
700
400
9
2.5
5
1.2
2.5
1.2
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
符号
RθJC
RθJA
最小值
典型值
最大值
3.2
104
单位
℃/W
℃/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2012 版
1/4
3DD127 D5
○R
电参数
除非另有规定,Ta= 25℃
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=700V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=400V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
共发射极正向电流传输比的静态值 hFE* VCE=5V, IC=0. 5A
小电流下 hFE1 与大电流下 hFE2 比值
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V,IC=0. 5A
IC=2A, IB=0. 5A
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=2A, IB=0. 5A
二极管正向电压
Vf* If = 2 A
贮存时间
ts
上升时间
tr UI9600,IC=0.25A
下降时间
tf
特征频率
fT
VCE=10V, IC=0.2A
f=1MHz
∗ 脉冲测试,脉冲宽度 tp≤300μs,占空比 δ≤2%
◆ ts 分档 3~3.5~4~4.5~5μs
hFE 分档 15~20~25~30
有害物质说明
规范值
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
700
400
9
15 30
单位
mA
mA
mA
V
V
V
0.75 0.9
0.5 1 V
1.2 1.5 V
2.5 V
3 5 μs
1 μs
0.8 μs
5 MHz
有毒有害物质或元素
部件名称
(含量要求)
铅
Pb
≤0.1%
引线框
○
汞 镉 六价铬
Hg Cd Cr(VI)
≤0.1% ≤0.01% ≤0.1%
○○○
多溴
联苯
PBB
≤0.1%
○
多溴二
苯醚
PBDE
≤0.1%
○
六溴环
十二烷
HBCDD
≤0.1%
○
邻苯二 邻苯二甲 邻苯二甲
甲酸酯 酸二丁酯 酸丁苄酯
DEHP DBP BBP
≤0.1%
○
≤0.1%
○
≤0.1%
○
塑封树脂 ○
○
○○
○
○
○
○
○○
管芯
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○
内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
焊料
×○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
说明
○:表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中含有铅(Pb)成分,但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。
无锡华润华晶微电子有限公司
2012 版
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