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PDF KTB1366 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | KTB1366 | |
| Descripción | PNP Transistor | |
| Fabricantes | WEJ | |
| Logotipo |  |
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RoHS
KTB1366
TO-220F
KTB1366 TRANSISTOR (PNP)
DFEATURES
Power dissipation
TPCM:
2 W (Tamb=25℃)
.,LCollector current
ICM: -3
Collector-base voltage
A
OV(BR)CBO:
-60 V
Operating and storage junction temperature range
CTJ, Tstg: -55℃ to +150℃
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
123
ICELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
NCollector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
OEmitter-base breakdown voltage
RCollector cut-off current
TEmitter cut-off current
CDC current gain
ECollector-emitter saturation voltage
LBase-emitter voltage
ETransition frequency
Collector output capacitance
JFall time
EStorage time
WCLASSIFICATION OF hFE(1)
Symbol
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
hFE(1)
hFE(2)
VCE(sat)
VBE
fT
Cob
tf
ts
Test conditions
Ic=-1mA, IE=0
Ic=-50mA, IB=0
IE=-1mA, IC=0
VCB=-60V, IE=0
VEB=-7V, IC=0
VCE=-5V, IC=-0.5A
VCE=-5V, IC=-3A
IC=-2A, IB=-0.2A
VCE=-5V, IC=-0.5A
VCE=-5V, IC=-0.5A
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
IC=-2A, IB1=-IB2=-0.2A
VCC=-30V
MIN TYP MAX UNIT
-60 V
-60 V
-7 V
-100 µA
-100 µA
60 200
20
-1 V
-1 V
9 MHz
150 pF
0.5 µs
1.7 µs
Rank
O
Y
Range
60-120
100-200
Marking
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| KTB1366 | PNP Transistor | WEJ |
| KTB1366 | Silicon PNP Power Transistors |  Inchange Semiconductor |
| KTB1366 | TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR |  KEC |
| KTB1367 | Silicon PNP Power Transistors | Inchange Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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