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JILIN SINO |
PNP 硅外延晶体管
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
R
3CG3906
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IC
VCEO
PC (TO-92)
PC (SOT-23)
-0.2A
-40V
0.625W
0.350W
用途
APPLICATIONS
z 高频开关电源
z High frequency switching power
supply
z 高频功率变换
z High frequency power transform
z 一般功率放大电路 z Commonly power amplifier circuit
SOT-23
TO-92
产品特性
z硅外延
z高开关速度
z与 3DG3904 互补
z环保(RoHS)产品
FEATURES
z Epitaxial silicon
z High switching speed
z Complementary to 3DG3904
z RoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
印记
Marking
3CG3906-O-T-N-C
3CG3906-O-T-N-A
3CG3906-O-N1-N-A
3906
3906
J
无卤素
Halogen Free
否 NO
否 NO
否 NO
封装
Package
TO-92
TO-92
SOT-23
包装
Packaging
袋装 Bag
编带 Brede
编带 Brede
版本:201510B
1/6
R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项目
集电极—基极直流电压
集电极—发射极直流电压
发射极—基极直流电压
最大集电极直流电流
最大集电极耗散功率
最大集电极耗散功率
最高结温
贮存温度
Parameter
Collector- Base Voltage( IE=0)
Collector- Emitter Voltage(IB=0)
Emitter-Base Voltage(IC=0)
Collector Current(DC)
Total Dissipation (TO-92)
Total Dissipation (SOT-23)
Junction Temperature
Storage Temperature
3CG3906
符号
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
PC
Tj
Tstg
数值
Value
-40
-40
-5
-0.2
0.625
0.350
150
-55~+150
单位
Unit
V
V
V
A
W
W
℃
℃
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
项目
测试条件
最小值 典型值 最大值
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
IC=-10uA,IE=0
IC=-1mA,IB=0
IE=-10uA,IC=0
VCB=-30V, IE=0
VEB=-3V, IC=0
VCE =-1V, IC=-0.1mA
-40 -
-
-40 -
-
-5 - -
- - -50
- - -50
60
hFE
VCE =-1V,
VCE =-1V,
VCE =-1V,
IC=-1mA
IC=-10mA
IC=-50mA
80
100 200 300
60
VCE(sat)
VCE =-1V, IC=-100mA
IC=-10mA, IB=-1mA
IC=-50mA, IB=-5mA
30
--
--
-0.25
0.4
VBE(sat)
fT
IC=-10mA, IB=-1mA
IC=-50mA, IB=-5mA
VCE=-10V, IC=-10mA
- - -0.85
- - -0.95
250 -
-
单位
Unit
V
V
V
nA
nA
V
V
MHz
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到环境的热阻 TO-92
Thermal Resistance Junction Ambient TO-92
结到环境的热阻 SOT-23
Thermal Resistance Junction Ambient SOT-23
符 号 最小值 最大值 单 位
Symbol Value(min) Value(max) Unit
Rth(j-a)
-
200 ℃/W
Rth(j-a)
-
357 ℃/W
版本:201510B
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