T553N 반도체 회로 부품 판매점
Phase Control Thyristor
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 eupec |
N Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 553N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische EigenschaftenPreepreKiotidetiivsnecnhpedeaaRktüeacnknwdärretvse-Srspeitzveonltsapgeersrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
Tvj = 0°C... Tvj max
repetitive peak reverse voltages
VRRM
VRRM
7000
7200
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
ITRMSM
TC = 85 °C
TC = 60 °C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, PLM = 40mW, trise = 0,5µs
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter H
ITAVM
ITSM
I²t
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
V
V
V
V
1200 A
550 A
765 A
12100 A
11700 A
732 10³ A²s
684 10³ A²s
300 A/µs
2000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Schutzzündspannung (statisch)
Protective break over voltage
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie on-state characteristic
v T = A + B ⋅ iT + C ⋅ Ln ( iT + 1) + D ⋅ iT
minimale Zündlichtleistung
minimum gate trigger light power
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Rückwärts-Sperrstrom
reverse blocking current
Zündverzug
gate controlled delay time
prepared by: C. Schneider
approved by: J. Przybilla
Tvj = 25°C … Tvj max
VBO
Typischer Degradationsfaktor ist 0,16%/K
für Tvj = 0°C..25°C
Typical de-rating factor of 0,16%/K is
applicable for Tvj = 0°C..25°C
Tvj = Tvj max , iT = 1000A, vD = 150V vT
Tvj = Tvj max
V(TO)
Tvj = Tvj max
rT
Tvj = Tvj max
typ.
max.
Tvj = 25°C, vD = 150V
Tvj = 25°C
Tvj = 25°C, vD = 150V,
PLM = 40mW, trise = 0,5µs
Tvj = Tvj max
vR = VRRM
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, vD = 1000V ,
PLM = 40mW, trise = 0,5µs
PLM
IH
IL
iR
tgd
date of publication: 2005-04-15
revision:
8
min. 6500 V
typ. 2,55 V
max. 2,65 V
typ. 1,25 V
max. 1,3 V
typ. 1,3 mΩ
max. 1,35 mΩ
A -0,0927
B 0,000967
C 0,1815
D 0,01334
A -0,0921
B 0,001
C 0,1841
D 0,0149
max. 40 mW
max. 100 mA
max.
1A
max. 200 mA
max.
5 µs
BIP AM / SM PB, 2002-05-23, Przybilla J. / Keller
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N Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 553N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Thermische EigenschaftenTvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
Mechanische EigenschaftendvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
tq
Qr
IRM
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
F
G
typ. 650 µs
max.
7,2 mAs
max.
210 A
max. 0,0200
max. 0,0190
max. 0,0305
max. 0,0500
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
max. 0,005
max. 0,010
°C/W
°C/W
120 °C
-40...+120 °C
-40...+150 °C
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15...24 kN
typ. 650 g
25 mm
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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( eupec )
T553N thyristor
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