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Datasheet 46120 Equivalent ( PDF ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Category |
461 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Catagory |
| 1 | 4611 | 60V Dual P + N-Channel MOSFET Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd
4611
60V Dual P + N-Channel MOSFET
Product Summary
N-Channel VDS (V) = 60V ID = 6.3A (VGS=10V) RDS(ON) < 38mΩ (VGS=10V) < 45mΩ (VGS=4.5V)
100% UIS Tested 100% Rg Tested
P-Channel -60V -4.9A
< 65mΩ (VGS = -10V) < 78mΩ (VGS = -4.5V)
100% UI  Tuofeng Semiconductor mosfet | | |
| 2 | 4612 | MOSFET, Transistor Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd
4612
Features
n-channel VDS (V) = 60V ID = 4.5A (VGS=10V) RDS(ON) < 55mΩ (VGS=10V) < 60mΩ (VGS=4.5V)
p-channel -60V
-3.2A (VGS = -10V) RDS(ON)
< 80m Ω (VGS = -10V) < 95m Ω (VGS = -4.5V)
D2 D1
S2 1 8 D2 G2 2 7 D2 S1 3 6 D1 G1 4 5 D1
SOIC- Tuofeng Semiconductor mosfet | | |
| 3 | 4616 | MOSFET, Transistor Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd 4616
Product Summary
N-Channel VDS= 30V ID= 8A (VGS=10V) RDS(ON) < 20mΩ (VGS=10V) < 28mΩ (VGS=4.5V)
P-Channel -30V -7A (VGS=-10V) RDS(ON) < 22mΩ (VGS=-10V) < 40mΩ (VGS=-4.5V)
SOIC-8
D2 D1
Top View
S2 D2 G2 D2 S1 D1 G1 D1
G2
G1
S2 S1 Tuofeng Semiconductor mosfet | |
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nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
 Sanken |
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