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Diotec Semiconductor |
Super Fast Silicon Rectifiers
FE 3A … FE 3G
Superschnelle Silizium Gleichrichter
Dimensions / Maße in mm
Nominal current – Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
3A
50…400 V
~ DO-201
1g
see page 16
siehe Seite 16
Maximum ratings
Type
Typ
FE 3A
FE 3B
FE 3D
FE 3F
FE 3G
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
100
200
300
400
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
50
100
200
300
400
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50/C
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25/C
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25/C
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
IFAV 3 A 1)
IFRM 30 A 1)
IFSM 125 A
i2t 78 A2s
Tj – 50…+175/C
TS – 50…+175/C
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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FE 3A … FE 3G
Characteristics
Forward voltage – Durchlaßspannung
Tj = 25/C IF = 3 A
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25/C
VR = VRRM
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Kennwerte
VF < 0.95 V
IR < 5 :A
trr <50 ns
RthA < 25 K/W 1)
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
28.02.2002
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