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Diotec Semiconductor |
Superfast Silicon Rectifiers
FE 1A … FE 1G
Superschnelle Silizium Gleichrichter
Dimensions / Maße in mm
Nominal current – Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
1A
50…400 V
DO-15
DO-204AC
0.4 g
see page 16
siehe Seite 16
Maximum ratings
Type
Typ
FE 1A
FE 1B
FE 1D
FE 1F
FE 1G
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
100
200
300
400
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
50
100
200
300
400
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50/C
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25/C
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25/C
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
IFAV 1 A 1)
IFRM 10 A 1)
IFSM 30 A
i2t 4.5 A2s
Tj – 50…+175/C
TS – 50…+175/C
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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FE 1A … FE 1G
Characteristics
Forward voltage – Durchlaßspannung
Tj = 25/C IF = 1 A
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25/C
VR = VRRM
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Kennwerte
VF < 0.95 V
IR < 2 :A
trr <50 ns
RthA < 45 K/W 1)
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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