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DD1000 반도체 회로 부품 판매점

Fast Switching High Voltage Si-Rectifiers



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Diotec Semiconductor
DD1000 데이터시트, 핀배열, 회로
DD 300 … DD 1800
Fast Switching High Voltage Si-Rectifiers Schnelle Si-Hochspannungs-Gleichrichter
Ø 3 ±0.05
Ø 0.6 ±0.05
Dimensions / Maße in mm
Nominal current – Nennstrom
20 mA
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
3000…18000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 3.05 x 14 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack siehe Seite 16
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
DD 300
DD 600
DD 1000
DD 1200
DD 1400
DD 1600
DD 1800
Repetitive peak reverse voltage
Period. Spitzensperrspannung
VRRM [V]
3000
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
3000
1. Cathode ring *)
1. Kathodenring *)
white / weiß
6000
6000
brown / braun
10000
10000
blue / blau
12000
12000
silver / silber
14000
14000
yellow / gelb
16000
16000
green / grün
18000
18000
red / rot
*) The cathode may be indicated by a second green ring
*) Die Kathode kann durch einen zweiten grünen Ring angezeigt werden
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 50/C
f > 15 Hz
TA = 25/C
IFAV 20 mA 1)
IFRM 300 mA 1)
IFSM 3 A
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
188 28.02.2002


DD1000 데이터시트, 핀배열, 회로
DD 300 … DD 1800
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj – 50…+150/C
TS – 50…+150/C
Characteristics
Forward voltage – Durchlaßspannung
Tj = 25/C IF = 10 mA
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25/C
VR = VRRM
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
IF = 10 mA through/über
IR = 10 mA to/auf IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
VF
IR
trr
RthA
Kennwerte
< 40 V
< 1 :A
< 150 ns
< 60 K/W 1)
Forward characteristic (typical values)
Durchlaßkennlinie (typische Werte)
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
28.02.2002
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제조업체: Diotec Semiconductor

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