파트넘버.co.kr R6S08-H 데이터시트 PDF


R6S08-H 반도체 회로 부품 판매점

Silicon rectifier bridge



Huajing Microelectronics 로고
Huajing Microelectronics
R6S08-H 데이터시트, 핀배열, 회로
产品概述
R6S08-H 是 硅 整 流 桥
堆,该产品采用平面工艺,
高温漏电电流极可靠
性较
硅整流桥堆
R6S08-H
R
产品特点
●超低反向漏电电流
●封装厚度薄
ESD 击穿电压高
●无铅封装
●耐焊接温度高
应用
符号
VR
IF
特征参数
额定值
600
0.8
单位
V
A
封装 SOP4
LED 整流电
节能灯
中小功率
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1
相对湿度 <85
265
内部结构图
极限值 Per Diode
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
重复峰值反向电压
直流阻断电压
平均正向整流电流
持续正向整流峰值电流
峰值正向浪涌电流
结到管壳的热阻最大值
贮存温度
符号
VRRM
VDC
IF(AV)
Imax
IFSM
RӨJA
Tstg
额定值
600
600
0.8
3
12
200
-55150
单位
V
V
A
A
A
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/3


R6S08-H 데이터시트, 핀배열, 회로
R6S08-H
电参数Per Diode
参数名称
符号
反向电压
VR
反向电流
IR
正向压
VF
a: 脉冲测试 tp300μs,δ≤2%
测试条件
IR=1mA
VR=600V, Ta=25
VR=600V, Ta=125
IF=0.4 A
R
小 典型 最大
600
0.5
2
1.0
单位
V
µA
V
有害物质说明
件名称
含量要求
Pb
引线框
树脂
内引线
0.1%
Hg
0.1%
Cd
0.01%
害物质或元素
多溴 多溴二 六溴
联苯
苯醚 十二烷
六价铬
PBB
PBDE HBCDD
Cr(VI)
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
邻苯二
甲酸酯
DEHP
0.1%
邻苯二
酸二丁
DBP
0.1%
邻苯二
酸丁苄
BBP
0.1%
说明
:表示元素含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示元素含量SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
特性曲线
IF-VF 关系曲线Per Diode
10
IR-VR 关系曲线Per Diode
1
1 125
0.1 25
0.1 125
0.01
25
0.01
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
正向压VF (V)
1.4
0.001
0
150 300 450 600
750
反向压VR (V)
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
2/3




PDF 파일 내의 페이지 : 총 3 페이지

제조업체: Huajing Microelectronics

( huajing )

R6S08-H rectifier

데이터시트 다운로드
:

[ R6S08-H.PDF ]

[ R6S08-H 다른 제조사 검색 ]




국내 전력반도체 판매점


상호 : 아이지 인터내셔날

전화번호 : 051-319-2877

[ 홈페이지 ]

IGBT, TR 모듈, SCR, 다이오드모듈, 각종 전력 휴즈

( IYXS, Powerex, Toshiba, Fuji, Bussmann, Eaton )

전력반도체 문의 : 010-3582-2743



일반적인 전자부품 판매점


디바이스마트

IC114

엘레파츠

ICbanQ

Mouser Electronics

DigiKey Electronics

Element14


관련 데이터시트


R6S08-H

Silicon rectifier bridge - Huajing Microelectronics