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Huajing Microelectronics |
产品概述
R6S08-H 是 硅 整 流 桥
堆,该产品采用平面工艺,
高温下漏电电流极小,可靠
性较高。
硅整流桥堆
R6S08-H
○R
产品特点
●超低反向漏电电流
●封装厚度薄
●ESD 击穿电压高
●无铅封装
●耐焊接温度高
应用
符号
VR
IF
特征参数
额定值
600
0.8
单位
V
A
封装 SOP4
● LED 整流电路
● 节能灯
● 中小功率电源
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40℃
1年
相对湿度 <85%
265℃
内部结构图
极限值 (Per Diode)
除非另有规定,Ta= 25℃
参数名称
重复峰值反向电压
直流阻断电压
平均正向整流电流
持续正向整流峰值电流
峰值正向浪涌电流
结到管壳的热阻最大值
贮存温度
符号
VRRM
VDC
IF(AV)
Imax
IFSM
RӨJA
Tstg
额定值
600
600
0.8
3
12
200
-55~150
单位
V
V
A
A
A
℃/W
℃
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/3
R6S08-H
电参数(Per Diode)
参数名称
符号
反向电压
VR
反向电流
IR
正向压降
VF
a: 脉冲测试 tp≤300μs,δ≤2%
测试条件
IR=1mA
VR=600V, Ta=25℃
VR=600V, Ta=125℃
IF=0.4 A
○R
规范值
最小 典型 最大
600
0.5
2
1.0
单位
V
µA
V
有害物质说明
部件名称
(含量要求)
铅
Pb
引线框
塑封树脂
管芯
内引线
焊料
≤0.1%
○
○
○
○
○
汞
Hg
≤0.1%
○
○
○
○
○
镉
Cd
≤0.01%
○
○
○
○
○
有毒有害物质或元素
多溴 多溴二 六溴环
联苯
苯醚 十二烷
六价铬
PBB
PBDE HBCDD
Cr(VI)
≤0.1%
○
○
○
○
○
≤0.1%
○
○
○
○
○
≤0.1%
○
○
○
○
○
≤0.1%
○
○
○
○
○
邻苯二
甲酸酯
DEHP
≤0.1%
○
○
○
○
○
邻苯二
甲
酸二丁
酯
DBP
≤0.1%
○
○
○
○
○
邻苯二
甲
酸丁苄
酯
BBP
≤0.1%
○
○
○
○
○
说明
○:表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
特性曲线
IF-VF 关系曲线(Per Diode)
10
IR-VR 关系曲线(Per Diode)
1
1 125℃
0.1 25℃
0.1 125℃
0.01
25℃
0.01
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
正向压降 VF (V)
1.4
0.001
0
150 300 450 600
750
反向压降 VR (V)
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
2/3
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