8205C 반도체 회로 부품 판매점
N-channel enhancement mode power MOSFET
|
|
 ETC |
N 沟道增强型功率 MOSFET
8205A/8205B/8205C
1. 描述
共漏极N沟道增强型功率场效应管8205A/8205B/ 8205C
具有快速开关、超低导通电阻和高性价比的特点。
8205A/8205B/8205C 适用于设计电池保护或低压开关的电路。
引脚排列
2. 特点
z 低导通电阻
z 低驱动电流
z 低栅极电压 2.5V
z VBDSB=20V
z IDB =B 6A @ VGB S=B 4.5V
z 8205A ：
RDS(ON)
B
<32m
B
Ω
@
VGB S=B 4.5V
z 8205B ：
RBDS(ON)<B 35mΩ @ V GSB B=4.5V
z 8205C ：
R
B
DS(ON)<B 38mΩ
@
VGB S
=B 4.5V
3. 应用领域
z 锂电池充电保护
z 电源管理
z 便携式设备
z 负载开关
4. 框图
（顶视）
OCT. 2012
1
8205A/8205B/8205C
5. 订购信息
工作温度范围（结温）
封装
TSSOP8
Pb-Free
-55°C ~ +150°C
TSSOP8
Pb-Free
SOT23-6
Pb-Free
订购型号
8205A
8205B
8205C
8205ATR
8205BTR
8205CTR
8205AS6
8205BS6
8205CS6
包装数量
100 片/管
4000 片/卷
3000 片/卷
6. 最大额定参数
参数
符号
值
漏源电压
栅源电压
漏极电流，VBGS =B 4.5V，@TBaB=25°C
漏极电流，VBGS =B 4.5V，@TBaB=70°C
漏极脉冲电流（注1）
功耗，@TBaB=25°C
工作结温
存储温度
功耗随温升的线性降低因数
VDSB B
VGSB B
IDB B
IDB B
IDMB B
PDB B
TjB B
TstgB B
20
±10
6
4.8
20
1.5
-55 ~ +150
-55 ~ +150
0.008
热阻，结到环境（注2）
RtB hj-aB
83
注1：脉冲宽度受最大结温限制
注2：贴装在1平方英寸铜盘上，板材FR4；当贴装在最小铜盘上，208°C /W
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
W/°C
°C/W
7. 电气特性
（TjB B = 25°C，除非另有注明）
参数
符号
漏源击穿电压
漏源漏电流
栅源漏电流
击穿电压温度系数
栅极门限电压
BVDSSB B
IDSSB B
IGSSB B
△BVBDSS
/△TjB B
VGB S(th)B
测试条件
VGB S
=
B
0,
IDB
=
B
250µA
VDSB B
=
20V,
VGB S
=
B
0
VGSB B = ±10V,VBDSB = 0
参考点25°C
IDB B =1mA
VDSB B
=
V ,GSB B
IDB
=
B
250μA
最小值
20
-
-
典型值
22
-
-
- 0.03
0.5 0.70
最大值
40
1
±100
单位
V
uA
nA
- V/°C
1.2 V
2
|
PDF 파일 내의 페이지 : 총 7 페이지
제조업체: ETC
( etc )
8205C mosfet
데이터시트 다운로드 :
[ 8205C.PDF ]
[ 8205C 다른 제조사 검색 ]
국내 전력반도체 판매점
상호 : 아이지 인터내셔날
전화번호 : 051-319-2877
[ 홈페이지 ]
IGBT, TR 모듈, SCR, 다이오드모듈, 각종 전력 휴즈
( IYXS, Powerex, Toshiba, Fuji, Bussmann, Eaton )
전력반도체 문의 : 010-3582-2743
관련 데이터시트
8205
LOW-DROPOUT REGULATORS . HIGH EFFICIENCY - Allegro MicroSystems
8205A
Dual N-Channel MOSFET - RZC Microelectronics
8205A
Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET - HSMC
8205A
N-channel enhancement mode power MOSFET - ETC
8205B
N-channel enhancement mode power MOSFET - ETC
8205C
N-channel enhancement mode power MOSFET - ETC