파트넘버.co.kr MW4953 데이터시트 PDF


MW4953 반도체 회로 부품 판매점

Dual P-channel enhancement mode MOSFET



SUNMOON 로고
SUNMOON
MW4953 데이터시트, 핀배열, 회로
Dual P-channel enhancement mode mosfet2011V1.0
MW4953
概述
封装图
MW4953 内部包括两个独立的、P 沟道金属
氧化物场效应管。它有超低的导通电阻 RDS(ON)
适合用 LED 显示屏,LED 显示器驱动,也可用来
做负载开关或者 PWM 开关。
SOP8
特点
专业设计,RDS(ON)极小
耐用性和可靠性极强
封装形式:SOP8
管脚定义
应用领域
LED 显示屏,LED 显示器等
负载开关或者 PWM 开关
电子邮件: [email protected]
网址: www.chinaasic.com QQ:635082246
Tel: 0755-82537817
Fax: 0755-82537817
地址: 深圳市高新技术产业园南区高新南一道国微大厦 5
-1-


MW4953 데이터시트, 핀배열, 회로
Dual P-channel enhancement mode mosfet2011V1.0
电气参数
25℃极限参数和热特性:
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极电流
脉冲漏极电流
符号
VDS
VGS
ID
IDM
最大耗散功率
PD
工作及储存温度
TJ, TSTG
结环热阻
一般电气特性:
参数
符号
静态参数
漏源击穿电压 BVDSS
MW4953 漏源导
通电阻
RDS(ON)
开启电压
零栅压漏极电流
漏极短路时截止
栅电流
VGS(th)
IDSS
IGSS
动态参数
栅极总电荷
栅源极电荷
栅漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
Qg
Qgs
Qgd
td(on)
tr
td(off)
tf
RθJA
测试条件
VGS = 0V, ID = -250uA
VGS = -5V, ID = -4.0A
VDS = VGS, ID = -250uA
VDS = -20V, VGS = 0V
VGS = ±10V, VDS = 0V
VDS = -15V, ID = -4.6A
VGS = -10V
VDD = -15V, RL = 7.5Ω
ID = -2A, VGS = -10V
RGEN = 6Ω
范围
-30
±25
-4.9
-30
2.5 ( TA = 25)
1.0 ( TA = 100)
-55 to 150
59
单位
V
V
A
A
W
W
/W
最小值 典型值 最大值 单位
-30 V
85 100 mΩ
-1.0 -1.5 -2.0
V
-1 uA
±80 nA
24
5 nC
2
16
18
ns
22
15
电子邮件: [email protected]
网址: www.chinaasic.com QQ:635082246
Tel: 0755-82537817
Fax: 0755-82537817
地址: 深圳市高新技术产业园南区高新南一道国微大厦 5
-2-




PDF 파일 내의 페이지 : 총 4 페이지

제조업체: SUNMOON

( sunmoon )

MW4953 mosfet

데이터시트 다운로드
:

[ MW4953.PDF ]

[ MW4953 다른 제조사 검색 ]




국내 전력반도체 판매점


상호 : 아이지 인터내셔날

전화번호 : 051-319-2877

[ 홈페이지 ]

IGBT, TR 모듈, SCR, 다이오드모듈, 각종 전력 휴즈

( IYXS, Powerex, Toshiba, Fuji, Bussmann, Eaton )

전력반도체 문의 : 010-3582-2743



일반적인 전자부품 판매점


디바이스마트

IC114

엘레파츠

ICbanQ

Mouser Electronics

DigiKey Electronics

Element14


관련 데이터시트


MW4953

Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET - Linkage



MW4953

Dual P-channel enhancement mode MOSFET - SUNMOON