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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET



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BLV88N30 데이터시트, 핀배열, 회로
BLV88N30
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
低导通电阻
低反向传输电容
驱动简单
Preliminary
August . 2009
BVDSS
RDS(ON)
ID
300V
48mΩ
88A
产品介绍
300V 88A 大功率 VDMOS 器件,导通电阻小、驱动简单,适合 PDP 驱动电路使用
最大额定参数( TC=25oC 除非另有说明 )
符号
VDS
VGS
ID
IDR
参数
源漏电压
栅源电压
连续漏极电流
脉冲漏极电流 (注释 1)
体二极管连续漏极电流
体二极管脉冲漏极电流(注释 1)
注释: 1. 脉冲宽度 PW<10us, 占空比 duty cycle<1%
http://www.belling.com.cn
极限值
300
+ 30
88
176
88
176
单位
V
V
A
A
A
A
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BLV88N30 데이터시트, 핀배열, 회로
BLV88N30
电学参数 ( TC=25C 除非另有说明)
符号
BVDSS
RDS(ON)
VGS(th)
IDSS
IGSS
Ciss
Coss
Crss
参数
源漏击穿电压
导通电阻
开启电压
源极-漏极漏电流
栅极-源极漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
典型曲线
测试条件
VGS=0V, ID=10mA
VGS=10V, ID=20A
VDS=VGS, ID=1mA
VDS=300V, VGS=0V
VGS= ± 30V
VDS=25V
VGS=0V
f = 1MHz
最小
300
-
2
-
-
-
-
-
典型
340
0.044
3.2
-
-
7500
710
37
最大
-
0.048
4
10
±500
-
-
-
单位
V
Ω
V
uA
nA
pF
pF
pF
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