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BLV297 반도체 회로 부품 판매점

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET



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BLV297 데이터시트, 핀배열, 회로
BLV297
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Ease of Paralleling
Fast Switching
Simple Drive Requirements
BVDSS
RDS(ON)
ID
200V
2.0Ω
0.65A
Description
This advanced high voltage MOSFET is produced using Belling’s proprietary DMOS technology.
Designed for high efficiency logic level circuit.
o Die size with scribe line
Scribe line
o Die Thickness
o Metallization
Top
Bottom
o Bonding Pad Size
Gate
Source
o Passivation
1570µm X 1570µm
80um
300± 20um
Al
Ti / Ni / Ag
140µm X 102µm
540µm X 540µm
Electrical Characteristics ( TC=25C unless otherwise noted )
Symbol
BVDSS
RDS(ON)
VGS(th)
IDSS
IGSS
VSD
Parameter
Test Conditions
Drain-Source Breakdown Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Drain-Source Leakage Current
Gate-Source Leakage Current
Forward On Voltage
VGS=0V, ID=250uA
VGS=10V, ID=0.65A
VDS=VGS, ID=400uA
VDS=200V, VGS=0V
VGS= 20V
VGS=0V, IS=0.65A
Min.
200
-
0.5
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
Max.
-
2.0
1.8
0.1
10
1.2
Units
V
Ω
V
uA
nA
V
http://www.belling.com.cn
-1-
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2/27/2008




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