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K2008 반도체 회로 부품 판매점

Silicon N-Channel MOS FET



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Hitachi Semiconductor
K2008 데이터시트, 핀배열, 회로
2SK2008
Silicon N-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
No Secondary Breakdown
Suitable for Switching regulator, DC - DC converter, Motor Control
Outline
TO-3PFM
D
G1
2
3
1. Gate
2. Drain
3. Source
S


K2008 데이터시트, 핀배열, 회로
2SK2008
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body to drain diode reverse drain current
Channel dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Notes 1. PW 10 µs, duty cycle 1 %
2. Value at Tc = 25°C
Symbol
VDSS
VGSS
ID
I *1
D(pulse)
I DR
Pch*2
Tch
Tstg
Ratings
250
±30
20
80
20
60
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
W
°C
°C
2




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제조업체: Hitachi Semiconductor

( hitachi )

K2008 mosfet

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