(PDF) BLVP304 Datasheet - P-channel vertical MOSFET

Número de pieza	BLVP304
Descripción	P-channel vertical MOSFET
Fabricantes	SHANGHAI BELLING
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No Preview Available ! www.DataSheet4U.com BLVP304 P 沟纵向 MOSFET 描述: P 沟增强型 VDMOS，高速开关，无二次击穿产品应用：电话机电路继电器电路驱动电路等工作条件 (T=25℃) 符号参数 VDSS 漏源电压 VGSS 栅源电压 ID 漏电流 PD Tj, TSDG 热特性 Power Dissipation for Dual Operation 结温度和存储温度 Rth j-a Thermal Resistance, Junction to Ambient 极限值 -300 + 20 -170 1 -55 to +150 单位 V V mA W oC 125 K/W 电学特性(TA=25oC) 符号参数测试条件最小典型最大单位 BVDSS 源漏击穿电压 VGS = 0V , I D = −10uA -300 - - V I DSS 零栅压时的漏极电流 VDS = −240V ,VGS = 0V - - -100 nA IGSS 栅和衬底之间的漏电流 VGS = ±20V ,VDS = 0V - - +100 nA VGS (th) 阈值电压 VDS = VGS , I D = −1mA -1.7 - -2.55 V RDS (on) 导通电阻 VGS = −10V , I D = −170mA - - 18 Ω http://www.belling.com.cn -1- Total 2 Pages 8/18/2006 1 page

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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