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PDF FQD4N50 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza FQD4N50
Descripción 500V N-Channel MOSFET
Fabricantes Fairchild Semiconductor　
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No Preview Available ! FQD4N50 Hoja de datos, Descripción, Manual

FQD4N50 / FQU4N50
N-Channel QFET® MOSFET
500 V, 2.6 A, 2.7 Ω
Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary
planar stripe and DMOS technology. This advanced
MOSFET technology has been especially tailored to
reduce on-state resistance, and to provide superior
switching performance and high avalanche energy
strength. These devices are suitable for switched mode
power supplies, active power factor correction (PFC), and
electronic lamp ballasts.
March 2013
Features
• 2.6 A, 500 V, RDS(on)=2.7 Ω(Max.)@VGS=10 V, ID=1.3 A
• Low Gate Charge (Typ. 10 nC)
• Low Crss (Typ. 6.0 pF)
• 100% Avalanche Tested





           

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©2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD4N50 / FQU4N50 Rev. C0

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©2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD4N50 / FQU4N50 Rev. C0
www.fairchildsemi.com

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
FQD4N50500V N-Channel MOSFETFairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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