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PDF F11F60CPM Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | F11F60CPM | |
| Descripción | Power MOSFET ( Transistor ) | |
| Fabricantes | SHINDENGEN | |
| Logotipo |  |
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F11F60CPM
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Package：FTO-220A（3pin）
600V11A
特長
煙低オン抵抗
煙絶縁タイプ
Feature
煙 LowRON
煙 IsolatedPackage
0000
11F60CPM
Unit：mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺
印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合 Tc＝25℃/Unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ドレイン電流（直流）
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流（ピーク）
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流（直流）
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
絶縁耐圧
DielectricStrength
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
IS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsemeasurement,10µs,duty=1/100
PT
Vdis
一括端子・ケース間，AC1分間印加
Terminalstocase,AC1minute
TOR
（推奨値：0.3N・m）
(Recommendedtorque:0.3N・m)
－55～150
150
600
±30
11
33
11
50
2
0.5
℃
V
A
W
kV
N・m
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝ 25℃/Unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V（BR）DSS ID＝1mA,VGS＝0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS＝600V,VGS＝0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS＝ ±30V,VDS＝0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID＝5.5A,VDS＝10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
R（DS）ON
ID＝ 5.5A,VGS＝10V
ゲートしきい値電圧
GateThressholdVoltage
VTH ID＝1mA,VDS＝10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwadeVoltage
VSD
IS＝5.5A,VGS＝0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc
接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VGS＝10V,ID＝11A,VDD＝400V
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS＝ 100V,VGS＝0V,f＝1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td（on）
上昇時間
Risetime
tr ID＝5.5A,VDD＝150V,RL＝27.3Ω
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td（off） VGS（＋）＝ 10V,VGS（－）＝ 0V
下降時間
Falltime
tf
600
─
─
4.5
─
2.5
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
──
V
─ 10
μA
─ ±0.1
9─
S
0.27 0.3 Ω
3.0 3.5
─ 1.5
V
─ 2.5 ℃/W
22 ─ nC
1100 ─
2.5 ─ pF
60 ─
20 ─
25 ─
80 ─
ns
25 ─
（MOS-p〈2010.07〉）（2014.04）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| F11F60CPM | Power MOSFET ( Transistor ) | SHINDENGEN |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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