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P6B52HP2 반도체 회로 부품 판매점

Power MOSFET ( Transistor )



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P6B52HP2 데이터시트, 핀배열, 회로
P6B52HP2
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
PackageFB
Unit:mm
525V6A
特長
面実装タイプ
高耐圧
低ノイズ
低オン抵抗
Feature
SMD
HighVoltage
LowNoise
LowRON
P6B52H2
000000
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流(直流)
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
繰り返しアバランシェ電流
RepetitiveAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
繰り返しアバランシェエネルギー
RepetitiveAvalancheEnergy
ドレインソース間ダイオード di/dt耐量
Drain-SourceDiodedi/dtStrength
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
IS
PT
IAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
di/dt Is=6A,Tc= 25℃
-55~150
150
525
±30
6
24
6
70
6
50
5
350
V
A
W
A
mJ
A/μs
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS= 525V,VGS=0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS= ±25V,VDS=0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID= 3A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
R(DS)ON
ID= 3A,VGS=10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID= 1mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiode ForwardVoltage
VSD
IS= 3A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD= 400V,VGS=10V,ID= 6A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS= 50V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
上昇時間
Risetime
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
下降時間
Falltime
td(on)
tr
td(off)
ID= 3A,RL= 50Ω,
VDD=150V,Rg= 50Ω,
VGS(+) = 10V,VGS(-) = 0V
tf
Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
525 ─
──
──
100
±10
V
μA
2 6─
S
─ 1.1 1.35
3.0 3.75 4.5
─ ─ 1.5
Ω
V
─ ─ 1.78 ℃/W
─ 15 ─ nC
─ 520 ─
─ 5.5 ─
─ 58 ─
pF
─ 15 ─
─ 20 ─ ns
─ 40 ─
─ 25 ─
MOSFET2013.04〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/


P6B52HP2 데이터시트, 핀배열, 회로
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
P6B52HP2
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case emperature Safe Operating Area
Transient Thermal Impedance
Capacitance Characteristics
Power Derating - Case Temperature
Gate Charge Characteristics
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature Single Avalanche Current vs Inductive Load
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* Sinewaveは 50Hzで測定しています。
50Hzsinewaveisusedformeasurements.
MOSFET2013.04〉)




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