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P42F6EN 반도체 회로 부품 판매점

Power MOSFET ( Transistor )



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P42F6EN 데이터시트, 핀배열, 회로
Nch
P42F6EN
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
PackageFTO-220AG3pin
Unit:mm
60V42A
特長
絶縁タイプ
低オン抵抗
10V駆動
低容量
Feature
IsolatedPackage
LowRON
10VGateDrive
LowCapacitance
0000
42F6EN
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
全損失
TotalPowerDissipation
単発アバランシェ電流
SingleAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
絶縁耐圧
DielectricStrength
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
PT
IAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
Vdis 一括端子・ケース間,AC1分間印加
Terminalstocase,AC1minute
TOR (推奨値:0.3N・m)
(Recommendedtorque:0.3Nm)
-55~150
150
60
±20
42
168
40
34
60
2
0.5
V
A
W
A
mJ
kV
N・m
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS=60V,VGS=0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS=±20V,VDS=0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID=21A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance (DS)ON
ID=21A,VGS=10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID=1mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS=42A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg
ゲート・ソース電荷量
GatetoSourceCharge
Qgs VDD=48V,VGS=10V,ID=42A
ゲート・ドレイン電荷量
GatetoDrainCharge
Qgd
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr ID=21A,RL=1.43Ω,VDD=30V,Rg=0Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
降下時間
Falltime
tf
ダイオード逆回復時間
DiodeReverseRecoveryTime
ダイオード逆回復電荷量
DiodeReverseRecoveryCharge
trr
Qrr
IF=42A,VGS=0V,di/dt=100A/μs
60 ─ ─
V
──
1 μA
─ ─ ±0.1 μA
14 ─ ─
S
─ 6.7 8.4 mΩ
2.0 3.0 4.0
─ ─ 1.5
V
─ ─ 3.12 ℃/W
─ 47 ─
─ 12 ─ nC
─ 16 ─
─ 2540 ─
─ 170 ─ pF
─ 350 ─
─ 11 ─
22 ─
21 ─
ns
─ 4─
─ 45 ─ ns
─ 71 ─ nC
MOS-p2014.07〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/


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■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
P42F6EN
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case emperature Safe Operating Area
Transient Thermal Impedance
Capacitance Characteristics
Power Derating - Case Temperature
Gate Charge Characteristics
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
* Sinewaveは 50Hzで測定しています。
50Hzsinewaveisusedformeasurements.
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MOS-p2014.07〉)




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