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GL120HF120T1H 반도체 회로 부품 판매점

IGBT



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GL120HF120T1H 데이터시트, 핀배열, 회로
GK120HF120T1H
IGBT 功率模块
特长:
z 10μs 短路承受时间
z 低饱和压降:VCE (sat) =2.6 V@ IC =120A ,TC=25
z 100% RBSOA 测试 (3 倍额定电流)
z 低杂散电感
z 高可靠性功率端子
z 无铅模块,符合 RoHS 要求
应用:
z 工业变频器
z AC DC 伺服驱动
z UPS
1
3
2
45
67
内部电路图
最大额定值TC = 25,除非另作说明)
符号
说明
VCES
集电极-发射极电压
VGES
门极-发射极电压
IC
ICM(1)
IF
IFM
TSC
PD
TJ
Tstg
Viso
Mounting
Torque
集电极直流电流
集电极脉冲电流
二极管正向直流电流
二极管正向脉冲电流
短路承受时间
单桥臂 IGBT 最大耗散功率
工作结温范围
存储温度范围
绝缘测试电压
功率端子螺钉:M5
散热器安装螺钉:M6
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TC = 80
TC = 25
TC = 125
TC = 125
TJ = 150
TC = 25
f = 50Hz,1 分钟
(1)重复脉冲下最大额定值:脉冲宽度受最大结温限制
GK120HF120T1H
1200
±20
120
200
240
120
240
>10
960
-40 150
-40 125
2500
5.0
6.0
单位
V
V
A
A
A
A
A
μs
W
V
N·m
N·m
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06/15/2009
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GL120HF120T1H 데이터시트, 핀배열, 회로
IGBT的电气特性 TJ = 25,除非另作说明)
符号
参数
测试条件
关断特性
V(BR)CES
V(BR)CES
/TJ
ICES
集电极-发射极击穿电压
击穿电压温度系数
集电极-发射极漏电流
IGES
导通特性
VGE(th)
VCE(sat)
开关特性
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon
Eoff
Ets
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon
Eoff
Ets
Qg
门极-发射极漏电流
门极-发射极阈值电压
集电极-发射极饱和电压
开通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
开通损耗
关断损耗
总开关损耗
开通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
开通损耗
关断损耗
总开关损耗
门极充电电量
RBSOA 反向安全工作区
SCSOA 短路安全工作区
VGE = 0V, IC = 1mA
VGE = 0V, IC = 1mA
VGE = 0V,
VCE = VCES
VGE = VGES,
VCE = 0V
TJ = 25
TJ = 125
TJ = 25
TJ = 125
IC = 3 mA, VCE = VGE
IC = 120A ,
VGE = 15V
TJ = 25
TJ = 125
VCC = 600V, IC = 120A ,
RG = 15, VGE =±15V ,
感性负载, TJ = 25
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VCC = 600V, IC = 120A,
RG = 15, VGE =±15V,
感性负载, TJ = 125
VCE = 600V, IC = 120A,
VGE = -15V ~ +15V
IC = 360A ,VCC = 960V,
Vp =1200V,
Rg = 4.7, VGE = +15V to
0V, TJ =150°C
VCC = 600V, VGE = 15V,
TJ = 150
最小
典型
最大
单位
1200
0.6
V
V/
1 mA
3 mA
200 nA
400 nA
4.5 5.1 7.0
2.6
3.0
V
V
V
200
120
560
150
10.5
6.2
16.7
190
140
630
200
12.2
9.2
21.4
1270
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
nC
方形
10 μs
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