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PDF 1SS196 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 1SS196 | |
| Descripción | DIODE | |
| Fabricantes | WEJ | |
| Logotipo |  |
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RoHS
1SS196 SWITCHING DIODE
SOT-23 Plastic-Encapsulate DIODE
DFeatures
TPower dissipation
PD : 150 mW (Tamb=25oC)
.,LForward Current
IF : 100 mA
Reverse Voltage
VR : 80V
OOperating and storage junction temperature range
Tj, Tstg : -55 oC to +150 oC
1
1.
2.4
1.3
SOT-23
3
2
ONIC CMarking:G3
Unit:mm
TRELECTRICAL CHARACTERISTICS
o
C(Ta=25 C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
EReverse breakdown voltage
V(BR)
LReverse Voltage leakage current
IR
EForward Voltage
JDiode Capacitance
WEReverse Recovery Time
VF
Ctot
trr
Test Condition
IR=100 A
VR=80V
IF=100mA
VR=0V f=1MHz
IF=IR=10mA
Irr=0.1IR
MIN. MAX. Unit
80 V
0.5 A
1.2 V
4 pF
4 nS
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 1SS190 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |  Toshiba Semiconductor |
| 1SS190 | Switching Diodes |  LGE |
| 1SS190 | SWITCHING DIODE |  RECTRON |
| 1SS190 | SWITCHING DIODE |  JCET |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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