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QY-S1010NP 반도체 회로 부품 판매점

Si Photodiode



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QYTECH
QY-S1010NP 데이터시트, 핀배열, 회로
Si Photodiode
For Visible to Near IR range
青岳科技
QY-S1010NP
Features
High sensitivity
High cost performance
Applications
Optical equipments
Analytical instruments
Measurements equipments
Maximum ratings (Typ. Ta=25℃)
Item
Symbol
Rating
Reverse voltage
VR 5
Chip Size
S 10*10
Operating temperature.
Topr.
-20~+80
Storage temperature.
Tstg.
-30~+120
Soldering temp. *
Tsol.
260
For MAX 5 seconds at the position of 2mm from the package
Unit
V
mm2
Electro-optical characteristics (Typ. Ta=25℃)
Item
Open circuit voltage
Short circuit current
Dark current
Terminal Capacitance
Spectral sensitivity
Peak wavelength
Symbol
VOC
ISC
Id
Ct
λ
λp
Conditions
EV=100Lx
2856K
VR= -1V
V=0V,f=10KHz
Min.
400
Typ.
0.3
55
120
20
940
Max.
1100
Unit
V
μA
nA
nF
nm
nm
http://www.qingyuetech.com
Tel:8621-51198458
QYTECH


QY-S1010NP 데이터시트, 핀배열, 회로
Si Photodiode
青岳科技
Spectral response
Short Circuit current Vs. Illuminance
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
200
(Typ. Ta=25 OC)
400 600 800 1000
WAVELENGTH (nm)
1200
Dark Current Vs. Ambient Temperature
10000
(VR=-1V)
1000
100
10
1
0.1
-20
0 20 40 60 80
Ambient Temperature (oC)
100
1000
(Typ. Ta=25 OC)
100
10
1
0.1
1
10 100 1000
Illuminance (LX)
10000
Dark Current Vs. Reverse Voltage
(Typ Ta=25oC)
1000
100
10
1
0.01
0.1 1
10
Reverse Voltage (V)
100
http://www.qingyuetech.com
Tel:8621-51198458
QYTECH




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