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RLT7870MG 반도체 회로 부품 판매점

Laser Diode



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RLT7870MG 데이터시트, 핀배열, 회로
RLT7870MG
TECHNICAL DATA
High Power Infrared Laser Diode
Features
Lasing Mode Structure: single transverse mode
Peak Wavelength : typ. 785 nm
Optical Ouput Power: 70 mW
Package: 5.6 mm
Electrical Connection
Pin Configuration
n-type
PIN Function
1 LD Anode
2 LD Cathode
3
Bottom View
Absolute Maximum Ratings (TC=25°C)
Item
CW Output Power
Pulsed Output Power*
Reverse Voltage
Operating Case Temperature
Storage Temperature
* duty < 50%, pulse width <0.1µs
Symbol
PO
PO pulse
UR
TC
Tstg
Specifications (TC=25°C)
Item
Optical Specification
CW Output Power
Peak Wavelength
FWHM Beam Divergence
Electrical Specification
Threshold Current
Operating Current
Slope Efficiency
Operating Voltage
Test Conditions
CW, PO = 60mW
CW, PO = 60mW
CW, PO = 60mW
CW
CW, PO = 60mW
CW, PO = 60mW
CW, PO = 60mW
Symbol
PO
λP
θ
θ
Ith
Iop
η
Uop
Value
70
100
2
-10 … +60
-40 … +100
Min.
-
775
7
17
-
-
-
-
Typ.
-
785
9
20
40
95
1.0
1.8
Unit
mW
mW
TC
°C
°C
Max.
70
798
11
24
50
140
-
2.2
Unit
mW
nm
deg
deg
mA
mA
mW/mA
V
The above specifications are for reference purpose only and subjected to change without prior notice.
21.12.2011
RLT7870MG
1 of 3
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/


RLT7870MG 데이터시트, 핀배열, 회로
Package Dimensons
9 mm Package (Unit:mm)
21.12.2011
RLT7870MG
2 of 3
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