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RLT650-200G 반도체 회로 부품 판매점

Laser Diode



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Roithner
RLT650-200G 데이터시트, 핀배열, 회로
RLT650-200G
TECHNICAL DATA
High Power Visible Laser Diode
Features
Lasing Mode Structure: multi mode
Peak Wavelength : typ. 650 nm
Optical Ouput Power: 200 mW
Package: 9 mm
Electrical Connection
Pin Configuration
n-type
PIN
1
2
3
Function
LD Cathode
LD Anode, PD Cathode
PD Anode
Bottom View
Absolute Maximum Ratings (TC=20°C)
Item
CW Output Power
Operating Case Temperature
Storage Temperature
Symbol
PO
TC
Tstg
Value
200
-20 … +25
-40 … +85
Unit
mW
°C
°C
Specifications (TC=20°C)
Item
Optical Specifications
CW Output Power
Center Wavelength
Spectral Width (FWHM)
Wavelength Temperature Coefficient
FWHM Beam Divergence
Emitting Aperature
Polarization
Lifetime
Electrical Specifications
Threshold Current
Operating Current
Slope Efficiency
Operating Voltage
Series Resistance
Monitor Current
Symbol
PO
λC
Δλ
∂λ / T
θ
θ
WxH
Ith
Iop
η
Uop
Rd
Im
Min.
-
645
-
-
-
-
5000
-
-
0.85
-
-
0.2
Typ.
200
650
1
0.25
8
36
100 x 1
TE
-
550
820
0.90
2.1
0.8
-
Max.
-
660
2.5
-
10
40
-
600
900
-
2.3
-
0.5
Unit
mW
nm
nm
nm/°C
deg
deg
µm
hour
mA
mA
W/A
V
mA
The above specifications are for reference purpose only and subjected to change without prior notice.
03.08.2010
rlt650_200g.doc
1 of 3
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/


RLT650-200G 데이터시트, 핀배열, 회로
Package Dimensons
9 mm Package (Unit:mm)
03.08.2010
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