(PDF) KDV216E Datasheet - SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

Número de pieza	KDV216E
Descripción	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
Fabricantes	KEC
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No Preview Available ! SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA TV TUNING. FEATURES High Capacitance Ratio Low Series Resistance KDV216E VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE C 1 E MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL Reverse Voltage Junction Temperature VR Tj Storage Temperature Range Tstg RATING 32 125 -55 125 UNIT V 2 D 1. ANODE 2. CATHODE F DIM A B C D E F MILLIMETERS 1.60+_ 0.10 1.20+_ 0.10 0.80+_ 0.10 0.30+_ 0.05 0.60+_ 0.10 0.13+_ 0.05 ESC Marking Type Name V3 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITION Reverse Current IR C1V Capacitance C2V C25V C28V C1V/C28V Capacitance Ratio C1V/C2V C25V/C28V Series Resistance rs Note : Available in matched group for capacitance to 2.0%. VR=32V VR=1V, f=1MHz VR=2V, f=1MHz VR=25V, f=1MHz VR=28V, f=1MHz - - - VR=5V, f=470MHz C(Max.)-C(Min.) C(Min.) 0.02 (VR=1~28V) MIN. - 19.0 - - 1.75 9.2 1.2 1.035 - TYP. - - 15.0 2.1 - 10 - 1.045 - MAX. 10 21.0 - - 2.15 - - - 0.7 UNIT nA pF pF pF pF - - - 2w00w8w. 1.D2a. t1a6Sheet4U.net Revision No : 1 1/2 1 page

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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