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KDR582S 반도체 회로 부품 판매점

SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE



KEC 로고
KEC
KDR582S 데이터시트, 핀배열, 회로
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
FOR HIGH SPEED SWITCHING.
FEATURES
Low reverse current, low capacitance.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
Repetitive Peak Reverse Voltage
Reverse Voltage
Forward Current
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL
VR
VR
IF
Tj
Tstg
RATING
4
4
130
150
-55 150
UNIT
V
V
mA
KDR582S
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
E
L BL
23
1
PP
M
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
MILLIMETERS
2.93+_ 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30 MAX
0.40+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
SOT-23
www.DataSheet4U.com
Marking
Type Name
MC
Lot No.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Forward Voltage
VF
Reverse Current
Total Capacitance
Series Resistance
IR
CT
rS
TEST CONDITION
IF=0.1mA
IF=1mA
IF=10mA
VR=3V
VR=3V, TA=60
VR=0V, f=1MHz
IF=5mA, f=10kHz
MIN.
0.2
0.25
0.35
-
-
0.4
-
TYP.
-
-
-
-
-
-
-
MAX.
0.35
0.45
0.6
0.25
1.25
0.75
15
UNIT
V
A
pF
2009. 12. 9
Revision No : 0
1/2


KDR582S 데이터시트, 핀배열, 회로
KDR582S
CT - VR
1.0
f=1MHz
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0 2 4 6 8 10
Reverse Voltage VR (V)
VF - IF
100
f=1MHz
10-1
www.DataShe1e0t-420U.com 0.1 0.2 0.3 0.4
Forward Voltage VF (V)
0.5
IR - VR
103
102
101
1000
2
4
6
Ta=25 C
8 10
Reverse Current VR (V)
2009. 12. 9
Revision No : 0
2/2




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제조업체: KEC

( kec )

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