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KDV310E 반도체 회로 부품 판매점

VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE TV Tuning



KEC 로고
KEC
KDV310E 데이터시트, 핀배열, 회로
SEMICONDUCTOR
www.DataSheet4U.com
TECHNICAL DATA
TV Tuning.
FEATURES
High Capacitance Ratio : C2V/C25V=17.0(Min.)
Low Series Resistance : rs=1.1 (Max.)
Small Package : ESC.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
Reverse Voltage
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL
VR
Tj
Tstg
RATING
34
150
-55 150
UNIT
V
KDV310E
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
C
1
2
D
1. ANODE
2. CATHODE
E
F
DIM
A
B
C
D
E
F
MILLIMETERS
1.60+_ 0.10
1.20+_ 0.10
0.80+_ 0.10
0.30+_ 0.05
0.60+_ 0.10
0.13+_ 0.05
ESC
Marking
Type Name
VD
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
Reverse Current
Capacitance
Capacitance Ratio
IR1
IR2
C2V
C25V
C2V/C25V
Series Resistance
rS
Note : Available in matched group for capacitance to 2.0%.
C(Max.)-C(Min.)
C(Min.)
0.02
VR=32V
VR=32V, Ta=60
VR=2V, f=1MHz
VR=25V, f=1MHz
-
VR=5V, f=470MHz
(VR=2~25V)
MIN.
-
-
47.0
2.65
17.0
-
TYP.
-
-
-
-
-
-
MAX.
10
100
53.0
3.0
-
1.1
UNIT
nA
pF
2004. 4. 20
Revision No : 0
1/2


KDV310E 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
KDV310E
10 -10
I R - VR
10 -11
10 -12
10 -13
0
10 20 30
REVERSE VOLTAGE VR (V)
40
C T - VR
80
f=1MHz
60
40
20
0
1 10 50
REVERSE VOLTAGE VR (V)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1
r s - VR
f=470MHz
35
10
REVERSE VOLTAGE VR (V)
30
(LOG CT) / (LOG VR) - VR
0
-1.0
-2.0
-3.0
1
10
REVERSE VOLTAGE VR (V)
50
2004. 4. 20
Revision No : 0
2/2




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