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V912E 반도체 회로 부품 판매점

ULTRA-LOW LEAKAGE ABRUPT VARACTOR DIODES



Knox Semiconductor  Inc 로고
Knox Semiconductor Inc
V912E 데이터시트, 핀배열, 회로
ULTRA-LOW LEAKAGE ABRUPT VARACTOR DIODES
V907 - V900
V907E - V900E
PART
NUMBER
V907
V910
V912
V915
V920
V927
V933
V939
V947
V956
V968
V982
V900
V907E
V910E
V912E
V915E
V920E
V927E
V933E
V939E
V947E
V956E
V968E
V982E
V900E
CAPACITANCE
@ 4 Vdc
1 MHz (pF)
7
10
12
15
20
27
33
39
47
56
68
82
100
7
10
12
15
20
27
33
39
47
56
68
82
100
TYP. CAPACITANCE
RATIO
C•0.5V / C•MWV
4.1
4.1
4.2
4.2
3.9
4.0
4.1
4.1
3.9
3.5
3.5
3.5
3.5
6.9
6.9
7.5
7.5
7.9
7.4
6.5
6.3
6.1
5.7
4.6
4.0
4.0
MAX WORKING
VOLTAGE
(Vdc)
25
25
25
25
20
20
20
20
20
15
15
15
15
100
100
100
100
90
65
60
55
50
40
30
20
20
MIN BREAKDOWN
VOLTAGE
Ir = 100µA (Vdc)
28
28
28
28
22
22
22
22
22
17
17
17
17
110
110
110
110
99
72
66
61
55
44
33
22
22
Package Style
Forward Voltage Drop
DC Power Dissipation
Max Reverse Current
Operating Temperature (Topr)
Storage Temperature (Tstg)
Capacitance Tolerance:
@ 100 mA
@ Ta = 25° C
@ MWV
Standard Device
DO-7
1.0 Vdc
400 mW
5 nA
-65 to + 150° C
-65 to + 200° C
±20%
P.O. BOX 609 ROCKPORT, MAINE 04856 207-236-6076 FAX 207-236-9558




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