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PDF BAV170 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BAV170 | |
| Descripción | Silicon Low Leakage Diode Array | |
| Fabricantes | Infineon Technologies AG | |
| Logotipo |  |
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Silicon Low Leakage Diode Array
• Low-leakage applications
• Medium speed switching times
BAV170...
BAV170
3
D1 D2
12
Type
BAV170
Package
SOT23
Configuration
common cathode
Marking
JXs
Maximum Ratings at TA = 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Diode reverse voltage
VR
Peak reverse voltage
Forward current
Non-repetitive peak surge forward current
t = 1 µs
VRM
IF
I FSM
Value
80
85
200
4.5
Unit
V
mA
A
t=1s
0.5
Total power dissipation
TS ≤ 35°C
Junction temperature
Storage temperature
Ptot 250 mW
Tj 150 °C
Tstg -65 ... 150
Thermal Resistance
Parameter
Junction - soldering point1)
BAV170
Symbol
RthJS
Value
≤ 460
Unit
K/W
1For calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance
1 Mar-10-2004
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BAV17 | Silicon Epitaxial Planar Diodes |  Vishay Telefunken |
| BAV17 | General Purpose Diodes |  Fairchild Semiconductor |
| BAV17 | (BAVxx) SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE |  Galaxy Semi-Conductor |
| BAV170 | Low-leakage double diode |  NXP Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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