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IXBOD1-07 반도체 회로 부품 판매점

Breakover Diode



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IXBOD1-07 데이터시트, 핀배열, 회로
Breakover Diodes
i
I
H
IBO
VH
V
VBO
Applications
lTransient voltage protection
l High-voltage switches
l Crowbar
l Lasers
l Pulse generators
Application Note H - 6
Remark: For special selection of more than 2 pieces IXBOD 1-... for every
break down voltage of VBO > 2000 V please contact us.
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H-1


IXBOD1-07 데이터시트, 핀배열, 회로
Single Breakover Diode
IXBOD 1 -06...10
VBO = 600-1000V
IAVM = 0.9 A
VBO Standard
V Types
600 ±50
700 ±50
800 ±50
900 ±50
1000 ±50
IXBOD 1 -06
IXBOD 1 -07
IXBOD 1 -08
IXBOD 1 -09
IXBOD 1 -10
A
K
Symbol
Conditions Ratings
ID
TVJ = 125°C;
V = 0,8x VBO
20 µA
VBO VBO(TVJ) = VBO, 25°C [1 + KT (TVJ - 25°C)]
IRMS
f = 50 HZ;
Tamb = 50°C
1.4 A
connection pins soldered to printed circuit
(conductor 0,035x2mm)
IAVM 0.9 A
ISM
tp = 0.1 ms;
Tamb = 50°C non repetitive
200 A
I²t
tp = 0.1 ms;
Tamb = 50°C
2 A2s
Tamb
Tstg
TVJm
KT Temperatur coefficient of VBO
KP coefficient for energy per pulse EP (material constant)
RthJA
- natural convection
- with air speed 2 m/s
-40...+125
-40...+125
125
2·10-3
700
60
45
°C
°C
°C
K-1
K/Ws
K/W
K/W
Weight
1g
Symbol
IBO
IH
VH
(dv/dt)C
(di/dt)C
tq(typ)
VT
V(TO)
rT
Conditions
Characteristic Values
TVJ = 25°C
TVJ = 25°C
TVJ = 25°C
TVJ = 50°C;
TVJ = 125°C;
VD = 0.67·(VBO + 100V)
VD = VBO ; IT = 80A; f = 50 Hz
TVJ = 125°C
VD = 0.67·VBO ; VR = 0V
dV/dt(lin.) = 200V/µs; IT = 80A; di/dt = -10A/µs
TVJ =125°C; IT = 5A
For power-loss calculations only
TVJ = 125°C
15
30
4-8
> 1000
200
150
1.7
1.1
0.12
mA
mA
V
V/µs
A/µs
µs
V
V
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
KA
IXYS reserve at these the right to change limits, test conditions and dimensions; Data according to IEC 60747
H-2
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IXBOD1-07 diode

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