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PDF B5819W Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza B5819W
Descripción SCHOTTKY BARRIER DIODE
Fabricantes TRANSYS　
Logotipo TRANSYS Logotipo



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No Preview Available ! B5819W Hoja de datos, Descripción, Manual

B5819W SCHOTTKY BARRIER DIODE
FEATURES
Power dissipation
PD: 450 mW (Tamb=25℃)
Collector current
IF: 1 A
Collector-base voltage
VR: 40 V
Operating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
SOD-123
Unit: mm
2. 70
3. 70
MARKING: SL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Reverse breakdown voltage
Reverse voltage leakage current
Forward voltage
Diode capacitance
Symbol
V(BR)
IR
VF
CD
Test conditions
IR= 1mA
VR=40V
VR=4V
VR=6V
IF=0.1A
IF=1A
IF=3A
VR=4V, f=1MHz
MIN
MAX
UNIT
40 V
1
0.05
0.075
0.45
0.6
0.9
mA
V
120 pF

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
B5819WSCHOTTKY BARRIER DIODEJCET
JCET
B5819WSCHOTTKY DIODEShunye
Shunye
B5819WSchottky DiodeTaiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
B5819WSchottky Barrier DiodeLGE
LGE

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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