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PDF B5818W Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza B5818W
Descripción SCHOTTKY BARRIER DIODE
Fabricantes TRANSYS　
Logotipo TRANSYS Logotipo



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No Preview Available ! B5818W Hoja de datos, Descripción, Manual

B5818W SCHOTTKY BARRIER DIODE
FEATURES
Power dissipation
PD: 450 mW (Tamb=25℃)
Collector current
IF: 1 A
Collector-base voltage
VR: 30 V
Operating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
MARKING: SK
SOD-123
Unit: mm
2. 70
3. 70
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN MAX
Reverse breakdown voltage
Reverse voltage leakage current
Forward voltage
Diode capacitance
V(BR)
IR
VF
CD
IR= 1mA
VR=20V
IF=1A
IF=3A
VR=4V, f=1MHz
30
1
0.55
0.875
110
UNIT
V
mA
V
pF

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
B5818WSCHOTTKY BARRIER DIODEJCET
JCET
B5818WSCHOTTKY DIODEShunye
Shunye
B5818WSchottky DiodeTaiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
B5818WSchottky Barrier DiodeLGE
LGE

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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