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GN1010 반도체 회로 부품 판매점

GaAs N-Channel MES IC



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Panasonic Semiconductor
GN1010 데이터시트, 핀배열, 회로
GaAs MMICs
GN1010
GaAs N-Channel MES IC
For high-output high-gain amplification
s Features
q General-use wide-band amplifier
q Low noise
q With bandwidth control pin
GN1010
0.65±0.15
+0.2
2.8 –0.3
+0.2
1.5 –0.3
Unit : mm
0.65±0.15
0.5R
41
32
s Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)
Parameter
Power supply voltage
Drain current
Gate current
Allowable power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
VDS
VGS
ID
IG
PD
Tch
Tstg
Rating
6
–4
45
3
200
150
– 55 to +150
Unit
V
V
mA
mA
mW
˚C
˚C
0.4±0.2
1 : Source
2 : Drain
3:C
4 : Gate
Mini Type Package (4-pin)
s Equivalent Circuit
2
3
4
s Electrical Characteristics (Ta = 25˚C)
Parameter
Drain current
Noise figure
Power gain
IdB compression output
Symbol
IDD * 1
NF * 2
PG * 2
PO * 2
Condition
VDS= 3V
VDS= 3V, f= 0.5GHz
VDS= 3V, f=1.8GHz
VDS= 3V, f= 0.5GHz
VDS= 3V, f=1.8GHz
VDS= 3V, f= 0.5GHz
VDS= 3V, f=1.8GHz
1
Min Typ Max Unit
5 30 45 mA
23
dB
10
5
9
dB
8 15
dBm
* 1 IDD rank classification
Rank
P
IDD(mA)
5 to 20
Q
15 to 30
R
25 to 45
* 2 NF, PG, PO test circuit
VD
C
Cf
Cc
C
G
Cc
S
C = 1000 pF
Cc = 200 pF
Cf = 27 pF


GN1010 데이터시트, 핀배열, 회로
GaAs MMICs
GN1010
PG, NF – f
12
VDD=3V
Ta=25˚C
10
PG
8
6
NF
4
2
0
0.1 0.3 1 3
Frequency f (GHz)
10
| S21 |, | S12 | – f
30
VDD=3V
Ta=25˚C
20
| S21 |
10
0
–10
| S12 |
–20
–30
10
30 100 300 1000 3000 10000
Frequency f (MHz)
| S11 |, | S22 | – f
20
VDD=3V
Ta=25˚C
10
0
| S22 |
–10
–20
| S11 |
–30
–40
10
30 100 300 1000 3000 10000
Frequency f (MHz)
3
2
1
0
0.1
NF, PG – f
VDD=3V
Cf=27pF
20
PG 10
NF
0.3 0.5 1.0 2.0
Frequency f (GHz)
0
Pout, IM2, IM3 – Pin
40
VDD=3V
Cf=27pF
20
I.P
0
Pout
–20
IM2 IM3
–40
–60
–80
–40
–90MHz
–500MHz
–1800MHz
–20 0
Pin (dBm)
20




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