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HAOHAI |
2A SCRs : 2A 系列 高灵敏度 单向可控硅【產品概況】
RoHS
英文與中文繁體版本
無鉛産品提供SGS環保認證, 符合歐美RoHS環保指令標準
■ Product Model Reference & Naming【產品型號參考及型號命名】
2A
(Amperes)
產品型號列表、種類區分、型號對應電壓值
200V
400V
600V
800V
1000V
1200V
觸發電流
單位:微安
TO-126 or TO-225AA
直插TO-126半封装
TO-126F
直插TO-126全封装
TO-252 or SOT428
贴片TO-252(DPAK)封装
C106B
C106BF
C106BS
C106D
C106DF
C106DS
C106M
C106MF
C106MS
C106N
C106NF
C106NS
C106H
C106HF
C106HS
C106G
C106GF
C106GS
IGT
≤200uA
即
≤0.2 mA
说明 Explain
已停产 标准品种 需定制 暫無量產 暫無量產 暫無量產
可代替的其它
工业型号产品
MCR22-4D、MCR22-6D、MCR22-8D、MCR22-10D、MCR106-4、MCR106-6、MCR106-8、MCR106-10
GMCR708、MCR708A、MCR708AT、MCR708AT4、MCR714、MCR714A、MCR714AT、MCR714AT4
GMCR716、MCR716A、MCR716AT、MCR716AT4、MCR718、MCR718A、MCR718AT、MCR718AT4
G3P4J-Z、5P4J-Z、5P6J-Z、CR5AS-8、CR5AS-12、SMG2D60D、S2D60D、SMG3D60C、S3D6C
GSMG5C60D、S5C6D、S2004DS1、S2004DS2、S4004DS1、S4004DS2、S2006DS2、S2006DS3
GS6004DS1、S6004DS2、T106B、T106M、T107B、T107M
H C 106 D S
H: HAOHAI ELECTRONICS
H : 深圳市浩海電子有限公司
H: HAOHAI 公司縮寫
型號前綴字母:
硅: Silicon
控制: Controlled
整流器: Rectifier
“C”为SCR
硅控制整流器
即单向可控硅
電流值表示:
106
额定电流值2A
說明:
此規格爲特制
小電流品種
電壓值表示:
B=200V
D=400V
M=600V
N=800V
H=1000V=1KV
G=1200V=1K2
封装形式表示:
无后缀: TO-126 半塑封
无后缀: 即: TO-225AA
F: TO-126F 全塑封
S: TO-252 表面貼
S: 即: SOT428、DPAK
■PINNING: TO-126(TO-225AA、CASE077);TO-252(SOT428、DPAK)
Pin Symbol
管腳排列 對應極性
Description
極性名詞
Description
SOT428
TO-126
極性含義 TO-252 SMD TO-225AA
1K
Cathode
阴極
2A
Anode
陽極
3G
Gate
門-控制極
4
mb mounting base
散熱片
4
◇TO-252表面貼, 元件標識可按客戶指定要求
◇2500Pcs/Rell, 2.5Kpcs/Box, 10Kpcs/Box
◇TO-126袋裝, 每袋250只, 每盒5K, 每箱50Kpcs
◇TO-252: 1.10g/Pcs, 每枚元件净重1.10克
◇TO-126: 0.75g/Pcs, 每枚元件净重0.75克
1 23
1 23
123
【TO-126直插半塑封】、【SMD 貼片封裝】
Marking
元件標識
Pin Polarity Circuit Diagram
腳位與極性 電路符號表示
G
A
K
1=K=阴极
2=A=阳极
3=G=门极-控制极
4=A=Tab=mb=散热片
http://www.kkg.com.cn
HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD.
注冊商標一
KKG@Product Data 2010-03-20
仿冒必究
HC106 Series : TO-126/TO-225AA、TO-252/SOT428/DPAK
2A SCRs : 2A 系列 高灵敏度 单向可控硅【規格參數】
RoHS
英文與中文繁體版本
無鉛産品提供SGS環保認證, 符合歐美RoHS環保指令標準
■ABSOLUTE RATINGs (Limiting Values)【额定值参数極限值】■THERMAL RESISTANCES【熱阻】■絕緣電阻特徵
SYMBOL
符號表示
Signification in Symbol
器件參數字母符號含義
Test Conditions
測試條件說明
Value
數值
IT(RMS)
IT(AV)
通態電流均方值: On-State RMS Current (Tc=80℃) 180℃ Conduction Angles
通态平均电流: Average On−State Current (180° Conduction Angles, TC=80°C)
2
2.5
ITSM
通態浪湧電流(通態不重複峰值電流): ½周期, 正弦波波, 不重复, 结温110度
Non-Repetitive Peak on-state Current (½ Cycle, Sine Wave, 60Hz, Tj=110°C)
10
IGM
I2t
dIT / dt
VDRM / VRRM
VGM
Visol
PG(AV)
PGM
Tj
門極峰值電流: Forward Peak Gate Current ((Pulse Width 1.0 sec, TC=80°C)
週期電流平方時間積: Circuit Fusing Consideration (t=8.3ms)
通態臨界電流上升率: Repetitive rate of rise of on-state current after triggering (IGT1~IGT3)
斷態重復峰值電壓: Repetitive peak off-state voltages
參考型號對照列表
門極峰值電壓: Peak gate voltage
引脚到外壳最大绝缘电压: R.M.S. isolation voltage from all three terminals to external heatsink
門極平均散耗功率: Average gate power dissipation (Pulse Width 1.0 sec, TC=80°C)
門極最大峰值功率: Peak gate power (Pulse Width 1.0 sec, TC=80°C)
工作結溫: Operating Junction Temperature Range (Rate VRRM & VDRM)
0.2
1.65
50
200~1200
5
---
0.1
5.0
-40 ~ +125
Tstg
TL
Rth(j-mb)
貯存溫度: Storage Temperature Range (In Free Air)
引腳承受焊錫極限溫度: Max.Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8" (From Case for 10 Seconds)
熱阻-結到外殼: Thermal Resistance Junction to mounting base
Full Cycle: 全波
Half Cycle: 半波
-40 ~ +150
260
3
3.7
Rth(j-a) 熱阻-結到環境: Thermal Resistance−Junction−to−Ambient
■ 说明/Explain: 电压600V以上规格品种需订制
In Free Air
75
Unit
單位
A
A2ses
A/µs
V
W
℃
℃/W
■STATIC CHARACTERISTICS【静态特性】■DYNAMIC CHARACTERISTICS【動態特性】
SYMBOL
符號表示
Paramenter & Test Conditions
符號含義 及 參數測試條件說明
IGT 門極觸發電流 (VAK=6Vdc, RL=100OΩ)
Tj=+25°C
Tj=-40°C
IDRM
IRRM
反向阻断重复峰值电流:
IPeak Repetitive Forward or Reverse Blocking Current
(VAK=Rated VDRM or VRRM, RGK=1KΩ
Tj=+25°C
Tj=+110°C
IH
IL
VGT
VTM
VGRM
VGD
dVD / dt
維持電流: Holding Current
IVD=12Vdc, IGT=20mA, Gate Open
Tj=+25°C
Tj=-40°C
Tj=+110°C
最大接入電流(闭锁/阻塞电流): Latching Current
(VAK=12V, IGT=20mA
Tj=+25°C
Tj=-40°C
門極觸發電壓: Gate trigger voltage
(Continuous dc,(VAK=6Vdc,RL=100Ω)
Tj=+25°C
Tj=-40°C
通態峰值電壓: Peak Forward On-State Voltage
ITM=4A
门极最高反向電壓: Peak Reverse Gate Voltage
IGR=10A
門極不觸發電壓:Gate Non−Trigger Voltage(Continuous dc,VAK=12V,RL=100Ω,TJ=110°C)
斷態臨界電壓上升率:Critical Rate of Rise of Off−State Voltage
(VAK=Rated VDRM, Exponential Waveform, RGK=1KΩ,TJ=110°C
Value 数值
Min. Typ. Max.
最小值 典型值 最大值
→ 15 200
→ 35 500
→ → 10
→ → 100
→ 0.19 3.0
→ 0.33 6.0
→ 0.07 2.0
→ 0.20 5.0
→ 0.35 7.0
0.40 0.60 0.80
0.50 0.75 1.00
→ → 2.2
→ → 6.0
0.2 ←
←
→ 8.0 ←
Unit
單位
µA
mA
V
V/µs
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