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H57V2582GTR-75J 반도체 회로 부품 판매점

256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O



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Hynix Semiconductor
H57V2582GTR-75J 데이터시트, 핀배열, 회로
256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O
256M (32Mx8bit) Hynix SDRAM
Memory
Memory Cell Array
- Organized as 4banks of 8,388,608 x 8
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use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev 1.0 / Aug. 2009
1


H57V2582GTR-75J 데이터시트, 핀배열, 회로
111
Synchronous DRAM Memory 256Mbit
H57V2582GTR-xxI Series
Document Title
256Mbit (32M x8) Synchronous DRAM
Revision History
Revision No.
0.1
1.0
History
Preliminary
Release
Draft Date
Jun. 2009
Aug. 2009
Remark
Rev 1.0 / Aug. 2009
2




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제조업체: Hynix Semiconductor

( hynix )

H57V2582GTR-75J data

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