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H57V2582GTR-60C 반도체 회로 부품 판매점

256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O



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Hynix Semiconductor
H57V2582GTR-60C 데이터시트, 핀배열, 회로
256Mb Synchronous DRAM based on 8M x 4Bank x8 I/O
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256M (32Mx8bit) Hynix SDRAM
Memory
Memory Cell Array
- Organized as 4banks of 8,388,608 x 8
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use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev 1.0 / Aug. 2009
1


H57V2582GTR-60C 데이터시트, 핀배열, 회로
111
Synchronous DRAM Memwowrwy.D2ata5S6heMet4bU.ictom
H57V2582GTR Series
Document Title
256Mbit (32M x8) Synchronous DRAM
Revision History
Revision No.
0.1
1.0
History
Preliminary
Release
Draft Date
Jun. 2009
Aug. 2009
Remark
Rev 1.0 / Aug. 2009
2




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제조업체: Hynix Semiconductor

( hynix )

H57V2582GTR-60C data

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