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JDV2S17S 반도체 회로 부품 판매점

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Toshiba
JDV2S17S 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA DIODE Silicon Epitaxial Planar Type
JDV2S17S
VCO for UHF Band Radio
High Capacitance Ratio: C1V/C4V = 2.1 (typ.)
Low Series Resistance : rs = 0.6 (typ.)
This device is suitable for use in a small-size tuner.
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Reverse voltage
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
VR
Tj
Tstg
Rating
10
150
55~150
Unit
V
°C
°C
JDV2S17S
Unit: mm
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Reverse voltage
Reverse current
Capacitance
Capacitance ratio
Series resistance
VR
IR
C1V
C4V
C1V/C4V
rs
IR = 1 µA
VR = 10 V
VR = 1 V, f = 1 MHz
VR = 4 V, f = 1 MHz
VR = 1 V, f = 470 MHz
Note: Signal level when capacitance is measured: Vsig = 100 mVrms
Marking
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
1-1K1A
Weight: 0.0011 g (typ.)
Min Typ. Max Unit
10 ⎯ ⎯ V
⎯ ⎯ 3 nA
1.77 2.01
pF
0.8 1.0
2 2.2
0.6 0.75
1 2004-02-09
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/


JDV2S17S 데이터시트, 핀배열, 회로
JDV2S17S
C-V
10
f=1MHz
Vsig=100mVrms
1
0.1
0
1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
234
VR(V)
rs-VR
1
VR(V)
56
f=470MHz
10
2 2004-02-09
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/




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( toshiba )

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