|
SHANGHAI BELLING |
www.DataSheet4U.com
PN 结 Si 光电池
BLP6060A
描述
工作在低频区域的 Si 光电池,可接收波长处于峰值波长附近的光信号。
应用
• 遥控电路
• 光纤通信
结构
芯片结构:平面 PN 型结构
电极:顶部 AlSi
外形图和尺寸
Anode
P
Cathode N
芯片尺寸:6.0 mm × 6.0 mm
芯片厚度:300±25µm
纵向结构
NP
N
N
芯片结构:平面 PN 型结构
电极:AlSi
http://www.belling.com.cn
-1-
Total 2 Pages
8/18/2006
BLP6060A
光电特性(Ta=25°)
参数
符号
测试条件
暗电流
Reverse dark current
ID VR=10V E=0mW/cm2
反向击穿电压
Reverse
voltage
breakdown VBR IR=100µA, H=0mV/cm2
最小值 典型值 最大值 单位
30 nA
50 V
http://www.belling.com.cn
-2-
Total 2 Pages
8/18/2006
|