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BLP6060A 반도체 회로 부품 판매점

PN junction Si photocell



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BLP6060A 데이터시트, 핀배열, 회로
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PN Si 光电池
BLP6060A
描述
工作在低频区域的 Si 光电池,可接收波长处于峰值波长附近的光信号
应用
遥控电路
光纤通信
结构
芯片结构:平面 PN 型结构
电极:顶部 AlSi
外形图和尺寸
Anode
P
Cathode N
芯片尺寸:6.0 mm × 6.0 mm
芯片厚度:300±25µm
纵向结构
NP
N
N
芯片结构:平面 PN 型结构
电极:AlSi
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8/18/2006


BLP6060A 데이터시트, 핀배열, 회로
BLP6060A
光电特性(Ta=25°)
参数
符号
测试条件
暗电流
Reverse dark current
ID VR=10V E=0mW/cm2
反向击穿电压
Reverse
voltage
breakdown VBR IR=100µA, H=0mV/cm2
最小值 典型值 最大值 单位
30 nA
50 V
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